渡辺 峻一郎 | 名大院工
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概要
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名大院工
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名大院工
著作論文
- 23aGR-6 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体サーフェスセルのキャリア4体再結合ダイナミクス(23aGR 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-10 高移動度導電性高分子におけるキャリアの電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-9 電場誘起ESR観測による面内配向性を有する高分子FETの分子配向評価(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-5 導電性高分子の電界効果トランジスタにおける4端子測定(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-11 フルオレンおよびビチオフェンの共重合高分子F8T2の電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-8 ペンタセンFETデバイスにおける電場誘起ESR信号の温度依存性(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYD-3 立体規則性ポリヘキシルチオフェン超薄膜を用いたFETデバイスの電場誘起ESR観測(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-8 ペンタセンのMIS-FETデバイスにおける電場誘起キャリアのESR観測(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYD-2 電界発光性高分子ポリフェニレンビニレン誘導体におけるキャリアのESR観測とFET特性(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYD-1 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/脂肪酸混合LB膜の作製とデバイス特性評価(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-10 パリレン絶縁膜を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体MISデバイスの電場誘起ESR(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-9 立体規則性ポリヘキシルチオフェンMISデバイスにおける電場誘起ESRの温度依存性(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-4 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体におけるアンバイポーラキャリアのESR観測 : PCBM濃度依存性(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-3 Si基板上に作成した高分子MIS-FETデバイスにおける電場誘起ポーラロンのESR観測(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTF-12 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体を用いたMISデバイスにおけるアンバイポーラキャリアのESR観測(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aRC-6 立体規則性ポリオクチルチオフェン中の電場誘起ポーラロンのESR観測(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-13 立体規則性ポリヘキシルチオフェンのトップコンタクト型MIS-FET特性と電場誘起ESR観測(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-14 ESR法による高分子MISデバイス界面における分子配向評価 : 基板平滑度依存性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-11 立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜・デバイス中のポーラロンのスピン間相互作用(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-11 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-10 導電性高分子F8T2の電場誘起ESRとそのアニール効果(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-8 高配向性を有する高分子超薄膜トランジスタの電場誘起ESR(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-7 高移動度低分子材料C_8-BTBTにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-9 高移動度導電性高分子PBTTT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aRL-4 ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体の光電流 : キャリア再結合過程の温度依存性(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-8 ポリフェニレンビニレン誘導体FETにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-7 C_8-BTBTのFETデバイスにおける電場誘起ESR信号のシミュレーション解析(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTN-7 高移動度導電性高分子PBTTTの低温4端子電界効果トランジスタ測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTG-2 導電性高分子MEH-PPV/PCBM複合体における光電流 : キャリア再結合過程(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-9 面内配向性を有するMEH-PPV超薄膜トランジスタの移動度異方性(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-8 有機電界効果トランジスタの動作状態における電場誘起キャリアのESR観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-7 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおける電場誘起ESRの低温観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTG-1 イオンゲルゲートトランジスタを用いたポリ(3-ヘキシルチオフェン)の電気伝導特性(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pCC-3 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおけるキャリアのESR観測(26pCC 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pCF-6 高移動度有機半導体の4端子トランジスタ測定(24pCF 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHA-3 ESR法による高移動度有機半導体C_8-BTBTにおけるキャリアダイナミクス(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))