下位 幸弘 | 産総研ナノテク

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概要

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関連著者

• 下位 幸弘

  産総研ナノテク

• 下位 幸弘

  産総研ナノシステム

• 黒田 新一

  名大院工

• 丸本 一弘

  筑波大院数物:jstさきがけ

• 田中 久暁

  名大院工

• 阿部 修治

  産総研ナノテク

• 阿部 修治

  産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門

• 丸本 一弘

  筑波大院数物

• 下位 幸弘

  産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門

• 下位 幸弘

  電総研

• 阿部 修治

  電総研

• 伊東 裕

  名大院工

• 渡辺 峻一郎

  名大院工

• 黒田 新一

  名大工

• 渡辺 峻一郎

  名大院工応物

• 村田 和広

  電総研

• 渡辺 峻一郎

  ケンブリッジ大

• 下位 幸弘

  産総研ナノテク部門ナノ機能合成研究体:分子研

• 瀧宮 和男

  広島大工

• 岩佐 義宏

  東京大学大学院工学系研究科

• 竹谷 純一

  阪大理

• 竹延 大志

  東北大金研

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 下位 幸弘

  産総研

• 丸本 一弘

  名大工

• 瀧宮 和男

  広大院工

• 岩佐 義宏

  東北大 金属材料研

• 岩佐 義宏

  東北大学金属材料研究所

• 新井 徳道

  筑波大院数物

• 黒田 新一

  電総研:名大工

• 丸本 一弘

  名大院工

• 竹延 大志

  東北大 金属材料研

• 小塚 真人

  名大院工

• Tanaka K

  Kyoto Univ. Kyoto

• Takahashi Kazuyuki

  Institute For Molecular Science And Crest Japan Science And Technology Agency

• 竹谷 純一

  阪大院理

• 岩野 薫

  高エネルギー加速器研究機構 物構研

• 下位 幸弘

  産業技術総合研究所 ナノテク

• 岩佐 義宏

  東北大金研

• 村上 浩一

  筑波大院数物

• 村上 浩一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 岩野 薫

  横浜国大・工物構研

• 富成 征弘

  阪大院理

• 岩佐 義宏

  東大院工

• 後藤 博正

  筑波大院数物

• 嘉治 寿彦

  東北大金研

• 西川 尚男

  東北大金研

• 山本 隆一

  東京工業大学資源化学研究所

• 山本 隆一

  東工大資源研

• Takimiya Kazuo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 懐 平

  上海応物研

• 阿部 修治

  産総研

• 野口 公信

  住友化学・筑波研

• 大西 敏博

  住友化学・筑波研

• 野口 公信

  住友化学筑波

• 大西 敏博

  住友化学工業

• 大西 敏博

  住友化学筑波

• 大西 敏博

  住友化学

• 懐 平

  産総研ナノテク

• 岩野 薫

  物構研

• 坂中 敏展

  名大院工

• 小久保 尚

  東工大資源化学研

• Takenaka Yasumasa

  Research Laboratory Of Resources Utilization Tokyo Institute Of Technology

• 山本 隆一

  Faculty Of Life And Environmental Science Shimane University

• 小久保 尚

  東工大資源研

• 竹谷 純一

  阪大産研:阪大院利

• 舛本 泰章

  筑波大物理

• 川本 徹

  産総研

• 小林 俊介

  産総研光技術

• 佐々木 史雄

  電総研

• 木島 正志

  筑波大院数物

• 田中 久暁

  名大院工応物

• 伊東 裕

  名大院工応物

• 黒田 新一

  名大院工応物

• 川本 徹

  産総研ナノテク

• Masumoto Yasuaki

  Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn

• 堀田 収

  京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科

• 阪東 一毅

  筑波大物理

• 中村 俊輝

  筑波大物理

• 藤原 聖士

  筑波大物理

• 佐々木 史雄

  産総研光技術

• 堀田 収

  京工繊大院工芸

• 堀田 収

  京工繊大繊維

• 針谷 喜久雄

  産総研ナノテク

• 針谷 喜久雄

  産総研ナノテク部門

• 森 竜雄

  名大院工電気

• 阿部 修治

  ナノ機能合成プロジェクト

• 岩佐 義宏

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 竹谷 純一

  阪大産研

• 辻 大毅

  筑波大院数物

• 竹延 大志

  早大院理工

• 〓 平

  産総研ナノテク, ナノ機能合成プロ

• 坂野 貴子

  産総研ナノテク部門

• 針谷 喜久雄

  産総研ナノシステム部門

• 岩田 隆道

  名大院工

• 近藤 英修

  名大院工

• 坂本 知隆

  名大院工

• 坂中 敏展

  名大工

• 竹内 紀文

  名大工

• 下位 幸弘

  NINT

• DiLabio G.A.

  NINT

• Dogel S.

  アルバータ大物理

• Lin S.

  NRC

• Ingold K.U.

  NRC

• 加藤 壮之

  名大工

• 尾崎 匡史

  名大工

• 伊藤 英毅

  名大工

• Greenham N.

  ケンブリッジ大

• Friend R.

  ケンブリッジ大

• FRIEDMAN B.A.

  電総研

• 舛本 泰章

  筑波大学物理学系

• 〓 平

  産総研ナノテク ナノ機能合成プロ

• 坂野 貴子

  産総研ナノテク:ナノ機能合成プロジェクト

• Friedman B.a.

  電総研:sam Houston State Univ.

• 坂本 知隆

  名大工

• 川本 徹

  産総研ナノシステム

• 針谷 喜久雄

  産総研ナノシステム

• 懐 平

  産総研ナノテク:ナノ機能合成プロ

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著作論文

• 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-6 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYN-14 ナノコンデンサー:カーボン(またはBN)ナノチューブとナノグラファイト系などにおける電気容量の計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYD-10 ヨウ素気相ドーピングされたルブレン単結晶の電子スピン共鳴(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19pPSB-13 (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶の励起子遷移における会合体的性質(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pRG-14 ESR法による高分子MISデバイス界面における分子配向評価 : 基板平滑度依存性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28a-N-12 ポリフェニレンビニレンにおけるポーラロンのENDOR/三重共鳴
• 5a-D-3 ポリパラフェニレンビニレンにおける光誘起ESRの偏光依存性
• 23pRL-11 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-7 高移動度低分子材料C_8-BTBTにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-6 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-5 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 13pWF-5 有機磁性分子における光励起および電子ドープによるスピン整列制御 II(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
• 30pWN-6 有機磁性分子における光励起および電子ドープによるスピン整列制御(分子磁性体(合成・修飾・構造))(領域7)
• 27aYC-9 密度汎関数法を用いた(TMTTF)_2X電荷秩序状態に対する理論的研究(TMTTF系/TMTSF系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pYD-2 擬1次元分子性結晶EDO-TTF_2(PF_6)の高温相構造に基づく第一原理電子状態計算(21pYD 領域5,領域7合同 光誘起相転移III(電荷移動錯体・その他),領域5(光物性))
• 25aYF-12 オリゴチオフェンの荷電状態における分子間相互作用の効果(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 31aZA-12 有機磁性分子のスピン整列制御に関する理論 II
• 29aYD-7 オリゴチオフェンのポーラロンに対する ab Initio 計算
• 18aWF-5 電荷移動錯体の中性 : イオン性転移におけるステージング構造
• 20aWB-3 MISデバイス構造中の立体規則性ポリアルキルチオフェンのESRによる分子配向評価(導電性高分子,金属鎖(ポリマー,MX,MMX),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYL-1 電界発光性高分子ポリフルオレン/C_複合体の光誘起ESR, ENDOR(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 13aWE-6 非縮退共役高分子ポリチオフェン中のポーラロン波動関数(分子デバイス, 導電性高分子, 領域 7)
• 29pWN-8 ポリチオフェン及び立体規則性ポリアルキルチオフェン中のポーラロンのENDOR(導電性高分子)(領域7)
• 22pS-3 ポリフェニレンビニレン誘導体中のポーラロン波動関数
• 25pTE-6 水素終端Si(100)-2×1表面上での磁性分子列の形成 : 理論ならびに実験(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pWN-7 フェニレン系共役分子ワイヤにおけるキャリアダイナミクスII(導電性高分子)(領域7)
• 23pXF-9 フェニレン系共役分子ワイヤにおけるキャリアダイナミクス : メタ結合の効果
• 19pYG-9 ポリフルオレン、ポリパラフェニレンのポーラロン
• 28a-ZG-10 フェニルアセチレン系の構造と光学的性質の理論
• 3p-C-4 PPVにおけるポーラロンのESRスペクトルシミュレーション
• 27a-J-3 ポリパラフェニレンビニレンにおけるESRスペクトルシュミレーション
• 28a-WB-3 ポリパラフェニレンビニレンにおけるポーラロン
• 28aTN-9 フルオレン-ビチオフェン共重合体に対するオリゴマー計算(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-7 C_8-BTBTのFETデバイスにおける電場誘起ESR信号のシミュレーション解析(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTG-7 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおける電場誘起ESRの低温観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))

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