渡辺 峻一郎 | ケンブリッジ大

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概要

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関連著者

• 渡辺 峻一郎

  名大院工応物

• 渡辺 峻一郎

  ケンブリッジ大

• 黒田 新一

  名大院工

• 田中 久暁

  名大院工

• 伊東 裕

  名大院工

• 渡辺 峻一郎

  名大院工

• 瀧宮 和男

  広島大工

• 瀧宮 和男

  広大院工

• 小塚 真人

  名大院工

• 下位 幸弘

  産総研ナノシステム

• 丸本 一弘

  筑波大院数物

• 下位 幸弘

  産総研ナノテク

• 田中 久暁

  名大院工応物

• 黒田 新一

  名大院工応物

• 丸本 一弘

  筑波大院数物:jstさきがけ

• 永野 修作

  名大院工応化

• 関 隆広

  名大院工応化

• 尾藤 芳彦

  名大院工応物

• 冨川 晴貴

  名大院工応化

• Tanaka K

  Kyoto Univ. Kyoto

• Takahashi Kazuyuki

  Institute For Molecular Science And Crest Japan Science And Technology Agency

• 永野 修作

  名古屋大学大学院工学研究科物質制御工学専攻

• 永野 修作

  名大VBL:JST-さきがけ

• 鈴木 淳也

  名大院工

• 戸田 章雄

  名大院工応化

• 野崎 智史

  名大院工

• Takimiya Kazuo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 関 隆広

  名古屋大学大学院工学研究科物質制御工学専攻

• Ito H.

  名大院工応物

• 山田 悠真

  名大院工

• 平手 将隆

  名大院工

• 安藤 良洋

  名大院工

• 岩佐 義宏

  東京大学大学院工学系研究科

• 竹延 大志

  東北大金研

• 東 健二郎

  名大院工

• 石原 健二

  名大院工

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 西川 裕貴

  名大院工

• 竹延 大志

  東北大学金属材料研究所:jstさきがけ

• 岩佐 義宏

  東北大 金属材料研

• 岩佐 義宏

  東北大学金属材料研究所

• 岩佐 義宏

  東大院工

• 伊東 裕

  名大院工応物

• 竹延 大志

  東北大 金属材料研

• 森 竜雄

  名大院工電気

• 岩佐 義宏

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 尾藤 芳彦

  名大院工

• 竹延 大志

  PRESTO

• 東海 卓弥

  名大院工

• 長谷川 裕哉

  名大院工

• 富川 晴貴

  名大院工応化

• 東 健二郎

  名大院工応物

• 岩附 紘子

  名大院工応化

• 木下 裕太郎

  名大院工

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著作論文

• 23pRL-11 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-10 導電性高分子F8T2の電場誘起ESRとそのアニール効果(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-8 高配向性を有する高分子超薄膜トランジスタの電場誘起ESR(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-7 高移動度低分子材料C_8-BTBTにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-9 高移動度導電性高分子PBTTT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aRL-4 ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体の光電流 : キャリア再結合過程の温度依存性(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-8 ポリフェニレンビニレン誘導体FETにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-7 C_8-BTBTのFETデバイスにおける電場誘起ESR信号のシミュレーション解析(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-7 高移動度導電性高分子PBTTTの低温4端子電界効果トランジスタ測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTG-2 導電性高分子MEH-PPV/PCBM複合体における光電流 : キャリア再結合過程(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTG-9 面内配向性を有するMEH-PPV超薄膜トランジスタの移動度異方性(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTG-8 有機電界効果トランジスタの動作状態における電場誘起キャリアのESR観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTG-7 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおける電場誘起ESRの低温観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTG-1 イオンゲルゲートトランジスタを用いたポリ(3-ヘキシルチオフェン)の電気伝導特性(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pCC-7 面内配向性を有するF8T2超薄膜トランジスタの電場誘起ESR観測(26pCC 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pCC-3 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおけるキャリアのESR観測(26pCC 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pCF-6 高移動度有機半導体の4端子トランジスタ測定(24pCF 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aHA-3 ESR法による高移動度有機半導体C_8-BTBTにおけるキャリアダイナミクス(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pXP-8 高移動度導電性高分子PBTTTイオンゲルトランジスタの可変領域ホッピング伝導(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pXP-2 フッ化アルキルシランによる導電性高分子へのキャリアドーピング(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))

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