黒田 新一 | 名大院工
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TANAKA Yasumoto
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Tanaka Y
Suwa Trust Co. Ltd. Ohmori Tokyo
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Tabata Y
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Tanaka Y
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Tajima Hiroyuki
Department Of Chemistry School Of Science The University Of Tokyo
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Marumoto K.
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山下 貴美
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大場 春樹
名大院工
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呉 立峰
名大院工
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Tanaka Y
Ntt Interdisciplinary Research Lab. Tokyo
著作論文
- 23aGR-6 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体サーフェスセルのキャリア4体再結合ダイナミクス(23aGR 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-10 高移動度導電性高分子におけるキャリアの電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-9 電場誘起ESR観測による面内配向性を有する高分子FETの分子配向評価(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-5 導電性高分子の電界効果トランジスタにおける4端子測定(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-11 フルオレンおよびビチオフェンの共重合高分子F8T2の電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-8 ペンタセンFETデバイスにおける電場誘起ESR信号の温度依存性(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYD-3 立体規則性ポリヘキシルチオフェン超薄膜を用いたFETデバイスの電場誘起ESR観測(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pGS-6 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTC-2 ハロゲン架橋複核金属錯体K_2[H_3NC_3H_6NH_3]Pt_2(pop)_4I・4H_2Oにおける結晶水着脱による電子相変化のESR観測(21aTC MMX・NI転移・π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aZB-1 擬一次元MMX錯体Pt_2(n-pentylCS_2)_4Iにおける光生成ソリトンのダイナミクス(25aZB 金属(架橋)鎖体/配位高分子,中性-陽性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTD-2 MMX錯体Pt_2(n-propylCS_2)_4Iの単結晶ESR(28pTD 金属架橋鎖,NI転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTD-1 擬一次元MMX錯体Pt_2(n-pentylCS_2)_4Iの光誘起ESR(28pTD 金属架橋鎖,NI転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWB-8 新規NiPd混合金属錯体Ni_Pd_x(R,R-bn)_2Br_3のESR(導電性高分子,金属鎖(ポリマー,MX,MMX),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYF-4 ESR法による二元系ハロゲン架橋複核金属錯体におけるカチオン置換効果の観測(27aYF 金属含有有機導体,MX系等,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aWB-6 有機超伝導体β-(BDA-TTP)_2X (X=SbF_6,AsF_6)の一軸性圧縮効果(β,β',β"系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 18aRA-2 有機超伝導体β-(BDA-TTP)_2SbF_6の一軸性圧縮効果(高圧物性・磁性(β,β',β"型塩),領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aTF-5 交互電荷分極相を有する二元系ハロゲン架橋複核金属錯体のESR観測(含金属有機導体/π-d系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-10 ヨウ素気相ドーピングされたルブレン単結晶の電子スピン共鳴(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-8 ペンタセンのMIS-FETデバイスにおける電場誘起キャリアのESR観測(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴における界面修飾効果(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pRG-12 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/脂肪酸混合LB膜の作製と評価(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pRC-2 Langmuir-Blodgett(LB)法による立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜の作成と分子配向評価(30pRC 導電性高分子,共役系高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-8 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴による界面分子配向観測(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pYC-1 有機超伝導体β-(BEDT-TTF)_2I_3の一軸性圧縮効果(電荷秩序,電荷揺らぎ,非線形伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- 13pWF-10 新規 Ladder 型ハロゲン架橋金属錯体の合成と物性(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
- 23pXE-3 新規擬一次元ハロゲン架橋 MX 型 Ni 錯体の合成と物性
- 25pYK-9 メロシアニン色素混合LB膜におけるJ会合体形成と分子配向の評価(グラファイト, LB膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aRC-5 ハロゲン架橋Pd錯体[Pd(en)_2][Pd(en)_2Br](C_n-Y)_4における電子状態と相転移のアルキル鎖長依存性(分子磁性・金属架橋,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYD-4 立体規則性ポリチオフェン/可溶性フラーレン複合体における光キャリアの4分子再結合(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 13pWF-11 新規擬一次元ハロゲン架橋 Ni 錯体 [NiL_2Br]Br_2 の 3 次非線形光学応答(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
- 30aWL-2 新規擬一次元ハロゲン架橋Ni錯体[NiL_2Br]Br_2(L:pn,bn)の合成と物性(M(M)X鎖・プロトン伝導)(領域7)
- 30aWL-1 STMによる擬一次元ハロゲン架橋金属錯体[Ni_Pd_x(chxn)_2Br]Br_2の局所電子構造の直接的観測(M(M)X鎖・プロトン伝導)(領域7)
- 26aYD-2 電界発光性高分子ポリフェニレンビニレン誘導体におけるキャリアのESR観測とFET特性(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYD-1 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/脂肪酸混合LB膜の作製とデバイス特性評価(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-10 パリレン絶縁膜を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体MISデバイスの電場誘起ESR(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-9 立体規則性ポリヘキシルチオフェンMISデバイスにおける電場誘起ESRの温度依存性(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-4 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体におけるアンバイポーラキャリアのESR観測 : PCBM濃度依存性(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-3 Si基板上に作成した高分子MIS-FETデバイスにおける電場誘起ポーラロンのESR観測(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTF-12 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体を用いたMISデバイスにおけるアンバイポーラキャリアのESR観測(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aRC-6 立体規則性ポリオクチルチオフェン中の電場誘起ポーラロンのESR観測(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-13 立体規則性ポリヘキシルチオフェンのトップコンタクト型MIS-FET特性と電場誘起ESR観測(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-14 ESR法による高分子MISデバイス界面における分子配向評価 : 基板平滑度依存性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-11 立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜・デバイス中のポーラロンのスピン間相互作用(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYD-8 テトラキス(チアジアゾール)ポルフィラジン薄膜のnキャリア光伝導(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYK-8 電界効果トランジスタを用いたTTC_n-TTFの電気伝導特性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pRB-8 (DMET)_4CuCl_4(TCE)_2表面の半導体的電気伝導(ゼロギャップ・1次元系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-5 Cr錯体を含むDMET塩の低温電子状態(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-4 (DMET)_4CuCl_4(TCE)_2の異方的電気伝導特性(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-4 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2[M=Mn,Co,Cu,Zn]の低温電子状態(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aRB-5 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2(M=Mn,Co,Zn)の金属絶縁体転移II(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pWB-5 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2(M=Mn,Co,Zn)の金属絶縁体転移(π-d系,N-I移転,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pWB-4 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2(M=Mn,Co,Cu,Zn)の電気伝導とESR(π-d系,N-I移転,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYK-6 Pt(chxn)_2I_3の電気伝導(金属鎖(MMX, MXなど),領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRB-4 ナフタレンジイミド誘導体と擬一次元臭素架橋鉛錯体からなる分子性導体の物性と電子状態(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-11 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-10 導電性高分子F8T2の電場誘起ESRとそのアニール効果(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-8 高配向性を有する高分子超薄膜トランジスタの電場誘起ESR(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-7 高移動度低分子材料C_8-BTBTにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-6 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-9 高移動度導電性高分子PBTTT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aRL-4 ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体の光電流 : キャリア再結合過程の温度依存性(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pRG-4 アルキル鎖を導入したハロゲン架橋Pd錯体[Pd(en)_2][Pd(en)_2Br_2](C_n-Y)_4の電子状態と相転移のESRによる研究(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRB-4 ナフタレンジイミド誘導体と擬一次元臭素架橋鉛錯体からなる分子性導体の物性と電子状態(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pRB-5 二元系ハロゲン架橋複核金属錯体の圧力下電気伝導 : 結晶水脱離効果(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRB-5 二元系ハロゲン架橋複核金属錯体の圧力下電気伝導 : 結晶水脱離効果(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pRL-5 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pRF-5 メロシアニン色素6Me-DS/DO混合LB膜におけるJ会合体の発光(29pRF 光誘起相転移・超伝導体・強相関系・低次元物質,領域5(光物性))
- 20aWB-3 MISデバイス構造中の立体規則性ポリアルキルチオフェンのESRによる分子配向評価(導電性高分子,金属鎖(ポリマー,MX,MMX),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-1 電界発光性高分子ポリフルオレン/C_複合体の光誘起ESR, ENDOR(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13aWE-6 非縮退共役高分子ポリチオフェン中のポーラロン波動関数(分子デバイス, 導電性高分子, 領域 7)
- 12pXD-13 異種メロシアニン色素混合 LB 膜中の J 会合体による発光(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 27pYK-10 ESR法によるMMX錯体Pt_2(n-propylCS_2)_4Iの電子状態の研究(金属鎖(MMX, MXなど),領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWF-9 MMX 錯体の伝導相の ESR II(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
- 30aWL-6 MMX錯体の伝導相のESR(M(M)X鎖・プロトン伝導)(領域7)
- 20pPSB-16 メロシアニン色素DS/DO混合LB膜におけるJ会合体形成II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aXQ-1 メロシアニン色素DS/DO混合LB膜におけるJ会合体の形成(低次元物質・光誘起相転移,領域5(光物性))
- 26pTF-13 平面性の高いポリチオフェン誘導体における光誘起ポーラロンのESR観測(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aTB-2 SiO_2基板を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/脂肪酸混合LB膜の作製とデバイス特性評価(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYG-7 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体における光電流の光強度依存性 : PCBM濃度とアニール効果(27pYG 中性イオン性転移,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTF-10 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/フラーレン複合体の光電流と光キャリアダイナミクス(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aRC-4 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/可溶性フラーレン複合体における光誘起ESR-フラーレン濃度依存性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-15 立体規則性ポリアルキルチオフェンと可溶性C_誘導体との複合体における光誘起ESR(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-11 ジベンゾチオフェン(DBT)、及びフェニレンジアミン(PDA)骨格を持つ電界発光性高分子DBT-PDA共重合体/C_複合体の光誘起ESR(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-8 立体規則性ポリアルキルチオフェン/C_複合体中における光生成ポーラロンの再結合過程 : アルキル鎖長依存性(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pZC-11 異種メロシアニン色素混合LB膜におけるJ会合体の構造と発光効率(非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・局在中心・新分光法,領域5,光物性)
- 27pXS-6 異種メロシアニン色素混合LB膜のJ会合体構造II(低次元物質)(領域5)
- 22pPSA-57 異種メロシアニン色素混合 LB 膜の J 会合体構造
- 21aXA-11 ペンタセン薄膜電界効果トランジスター中の電界注入キャリヤーのESR観測(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYF-9 立体規則性ポリアルキルチオフェン/C_複合体サーフェス光伝導セルの光照射方向及び光強度依存性(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pRC-6 立体規則性ポリヘキシルチオフェンのボトムコンタクト型MIS-FET特性と電場誘起ポーラロンのESR観測(30pRC 導電性高分子,共役系高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pRC-4 導電性高分子MISデバイスにおける電界注入ポーラロン・バイポーラロン転移とESR(30pRC 導電性高分子,共役系高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWB-2 ボトムコンタクト型MIS-FET構造を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン中の電場誘起ポーラロンのESR観測(導電性高分子,金属鎖(ポリマー,MX,MMX),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-7 立体規則性ポリヘキシルチオフェンにおける伝導特性の化学ドーピング依存性(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-6 MIS構造を用いた立体規則性ポリアルキルチオフェンにおける電場誘起ESRの過渡応答特性(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-5 高移動度立体規則性ポリヘキシルチオフェン中の電界注入ポーロランのESR観測(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aRC-5 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/C_複合体光伝導セルにおける光電流の光強度依存性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28aTN-9 フルオレン-ビチオフェン共重合体に対するオリゴマー計算(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-8 ポリフェニレンビニレン誘導体FETにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-7 C_8-BTBTのFETデバイスにおける電場誘起ESR信号のシミュレーション解析(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTN-7 高移動度導電性高分子PBTTTの低温4端子電界効果トランジスタ測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13aWE-5 低濃度ドープされた立体規則性ポリアルキルチオフェンの電子スピン共鳴(分子デバイス, 導電性高分子, 領域 7)
- 24aTG-2 導電性高分子MEH-PPV/PCBM複合体における光電流 : キャリア再結合過程(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTG-3 導電性高分子PBTTT/PCBM複合体の光誘起ESR(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-9 面内配向性を有するMEH-PPV超薄膜トランジスタの移動度異方性(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-8 有機電界効果トランジスタの動作状態における電場誘起キャリアのESR観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-7 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおける電場誘起ESRの低温観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTQ-4 β型有機超伝導体の一軸性圧縮効果 : 圧縮方向依存性(21aTQ 有機超伝導(その1),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTG-1 イオンゲルゲートトランジスタを用いたポリ(3-ヘキシルチオフェン)の電気伝導特性(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-4 ESR法によるポリフルオレン-C_複合体の光誘起キャリア再結合過程の観測(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCF-10 ドナー-アクセプタ型共重合体PCDTBT/PCBM複合体の光電流と光キャリア再結合(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pCC-3 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおけるキャリアのESR観測(26pCC 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pCF-6 高移動度有機半導体の4端子トランジスタ測定(24pCF 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pEB-3 有機超伝導体β-(ET)_2IBr_2の一軸性圧縮効果(18pEB ET系・超伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHA-2 高移動度低分子材料C_8-BTBTのヨウ素ドーピングによるキャリア生成とそのESR観測(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pHA-6 立体規則性ポリチオフェン/可溶性フラーレン複合体における光キャリアの再結合過程(20pHA 太陽電池・発光デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pHA-4 FET法によるPCDTBT/PCBM複合体の両極性伝導(20pHA 太陽電池・発光デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pHA-3 導電性高分子/PCBM複合体の光電流におけるキャリア再結合とトラップ効果 : 温度依存性(20pHA 太陽電池・発光デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHA-3 ESR法による高移動度有機半導体C_8-BTBTにおけるキャリアダイナミクス(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHA-1 導電性高分子F8T2のトップゲート型FETデバイスの作製と電場誘起ESR(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXP-9 イオンゲルトランジスタによるBEDT-TTF錯体単結晶へのキャリア注入(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXP-8 高移動度導電性高分子PBTTTイオンゲルトランジスタの可変領域ホッピング伝導(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXP-3 高移動度分子C_8-BTBTの電子状態(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXP-2 フッ化アルキルシランによる導電性高分子へのキャリアドーピング(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aDF-3 高移動度低分子材料C_DNTTの電場誘起ESR(界面デバイス1,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26aDF-2 イオン液体トランジスタによる導電性高分子PBTTTへの高濃度キャリア注入とESR(界面デバイス1,領域7(分子性個体・有機導体))
- 25pDJ-7 δ型BEOT-TTF塩の一軸圧縮効果(電荷秩序,領域7(分子性個体・有機導体))
- 27pDK-3 電場誘起ESR法による有機半導体のキャリア観測(主題:有機半導体におけるスピン自由度と電荷ダイナミクス,領域7,領域3合同シンポジウム,領域7(分子性個体・有機導体))
- 28aAN-2 導電性高分子PCDTBT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測(28aAN 導電性高分子・界面デバイス1,領域7(分子性固体))
- 28aAN-5 導電性高分子F8T2を用いた電気化学発光素子におけるキャリアのESR観測(28aAN 導電性高分子・界面デバイス1,領域7(分子性固体))
- 30aCL-2 κ型BEDT-TTF塩における新規超伝導相(30aCL κ型ET塩他(スピン液体・モット転移・超伝導等),領域7(分子性固体))