丸本 一弘 | 筑波大院数物
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
丸本 一弘
筑波大院数物
-
丸本 一弘
筑波大院数物:jstさきがけ
-
黒田 新一
名大院工
-
田中 久暁
名大院工
-
伊東 裕
名大院工
-
渡辺 峻一郎
名大院工
-
竹延 大志
東北大金研
-
岩佐 義宏
東大 工
-
竹延 大志
東北大 金属材料研
-
岩佐 義宏
東北大 金属材料研
-
岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
-
岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
-
岩佐 義宏
東北大金研
-
岩佐 義宏
東大院工
-
下位 幸弘
産総研ナノテク
-
竹谷 純一
阪大理
-
新井 徳道
筑波大院数物
-
辻 大毅
筑波大院数物
-
下位 幸弘
産総研ナノシステム
-
竹谷 純一
阪大院理
-
蓬田 陽平
東北大金研
-
富成 征弘
阪大院理
-
後藤 博正
筑波大院数物
-
渡辺 峻一郎
名大院工応物
-
岩佐 義宏
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
高橋 優貴
筑波大院数物
-
蓬田 陽平
東北大院理
-
竹延 大志
東北大学金属材料研究所:jstさきがけ
-
嘉治 寿彦
東北大金研
-
西川 尚男
東北大金研
-
渡辺 峻一郎
ケンブリッジ大
-
伊藤 圭哉
名大院工応物
-
伊藤 圭哉
名大院工
-
竹延 大志
早大院先進
-
石原 健二
名大院工
-
村上 浩一
筑波大院数物
-
村上 浩一
筑波大学数理物質科学研究科
-
金子 和晃
名大院工
-
田中 久暁
名大院工応物
-
伊東 裕
名大院工応物
-
黒田 新一
名大院工応物
-
森 竜雄
名大院工電気
-
竹延 大志
早大先進理工
-
鈴木 章充
名大院工
-
新美 雄太
名大院工
-
竹谷 純一
阪大産研:阪大院利
-
竹延 大志
早大先進:jstさきがけ
-
松本 大佑
筑波大院数物
-
竹延 大志
早大先進
-
長谷川 直樹
名大院工
-
下位 幸弘
産総研
-
木島 正志
筑波大院数物
-
阿部 修治
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
-
尾藤 芳彦
名大院工応物
-
蛭海 翔太
名大院工
-
濱野 光正
名大院工
-
阿部 修治
産総研
-
竹谷 純一
阪大産研
-
竹延 大志
早大院理工
-
坂本 知隆
名大院工
-
安藤 志問
名大院工
-
大場 春樹
名大院工
-
呉 立峰
名大院工
-
坂本 知隆
名大工
-
尾藤 芳彦
名大院工
-
平手 将隆
名大院工
-
竹延 大志
PRESTO
-
竹延 大志
早大院先進:JSTさきがけ
著作論文
- 21pGS-10 高移動度導電性高分子におけるキャリアの電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-8 ペンタセンFETデバイスにおける電場誘起ESR信号の温度依存性(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGV-5 電場誘起ESRによる有機半導体界面の電子状態観測(20pGV 領域7,領域9合同シンポジウム:有機半導体界面における電子状態プローブの新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-6 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYD-10 ヨウ素気相ドーピングされたルブレン単結晶の電子スピン共鳴(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-8 ペンタセンのMIS-FETデバイスにおける電場誘起キャリアのESR観測(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴における界面修飾効果(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-8 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴による界面分子配向観測(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-10 パリレン絶縁膜を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体MISデバイスの電場誘起ESR(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-9 立体規則性ポリヘキシルチオフェンMISデバイスにおける電場誘起ESRの温度依存性(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-4 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体におけるアンバイポーラキャリアのESR観測 : PCBM濃度依存性(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-3 Si基板上に作成した高分子MIS-FETデバイスにおける電場誘起ポーラロンのESR観測(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTF-12 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体を用いたMISデバイスにおけるアンバイポーラキャリアのESR観測(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aRC-6 立体規則性ポリオクチルチオフェン中の電場誘起ポーラロンのESR観測(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-13 立体規則性ポリヘキシルチオフェンのトップコンタクト型MIS-FET特性と電場誘起ESR観測(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-14 ESR法による高分子MISデバイス界面における分子配向評価 : 基板平滑度依存性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-11 立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜・デバイス中のポーラロンのスピン間相互作用(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-11 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-6 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-9 高移動度導電性高分子PBTTT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-5 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pRG-11 ジベンゾチオフェン(DBT)、及びフェニレンジアミン(PDA)骨格を持つ電界発光性高分子DBT-PDA共重合体/C_複合体の光誘起ESR(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-8 立体規則性ポリアルキルチオフェン/C_複合体中における光生成ポーラロンの再結合過程 : アルキル鎖長依存性(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYF-9 立体規則性ポリアルキルチオフェン/C_複合体サーフェス光伝導セルの光照射方向及び光強度依存性(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aRC-5 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/C_複合体光伝導セルにおける光電流の光強度依存性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28aTN-8 ポリフェニレンビニレン誘導体FETにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-9 イオンゲルを用いたルブレン単結晶トランジスタの電場誘起ESR(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTB-9 イオンゲルを用いたルブレン単結晶トランジスタの電場誘起ESR(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-8 有機電界効果トランジスタの動作状態における電場誘起キャリアのESR観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-8 イオンゲルを用いた高分子薄膜トランジスタの電場誘起ESR(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-3 イオンゲルを用いた有機トランジスタの高電荷密度状態のESR研究(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-3 イオンゲルを用いた有機トランジスタの高電荷密度状態のESR研究(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))