富成 征弘 | 阪大院理
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概要
関連著者
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竹谷 純一
阪大理
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富成 征弘
阪大院理
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竹谷 純一
阪大院理
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西川 尚男
東北大金研
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山岸 正和
阪大院理
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西川 尚男
阪大院理
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植村 隆文
阪大院理
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岩佐 義宏
東大 工
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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中澤 康浩
阪大院理
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岩佐 義宏
東北大金研
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黒田 新一
名大院工
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竹延 大志
東北大金研
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田中 久暁
名大院工
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丸本 一弘
筑波大院数物
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富成 征弘
阪大理
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中澤 康浩
阪大理
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新井 徳道
筑波大院数物
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後藤 博正
筑波大院数物
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丸本 一弘
筑波大院数物:jstさきがけ
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平原 律雄
大阪大学
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竹延 大志
東北大 金属材料研
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岡田 悠悟
阪大院理
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山岸 正和
阪大理
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中山 健吾
阪大院理
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西川 尚男
セイコーエプソン(株)
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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嘉治 寿彦
東北大金研
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岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
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平原 律雄
阪大理
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川瀬 健夫
セイコーエプソン
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三輪 一元
阪大院理
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宇野 真由美
阪大院理
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松崎 弘幸
東大新領域
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岡本 博
東大新領域
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岡本 博
産総研:crest:東大新領域
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村上 浩一
筑波大院数物
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村上 浩一
筑波大学数理物質科学研究科
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下位 幸弘
産総研ナノテク
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田尾 祥一
東大新領域
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関 志朗
Materials Science Research Laboratory Central Research Institute Of Electric Power Industry
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関 志朗
Central Research Institute Of Electric Power Industry
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関 志朗
(財)電力中央研究所材料科学研究所
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竹谷 純一
大阪大学理学研究科
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竹谷 純一
大阪大学大学院理学研究科
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宇野 真由美
大阪府産技研
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宇野 真由美
大阪府立産業技術総合研究所
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小野 新平
電力中央研究所
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関 志朗
電力中央研究所
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富成 征弘
大阪大学
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三輸 一元
電力中央研究所
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三輸 一元
Central Research Institute Of Electric Power Industry
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小野 新平
Central Research Institute Of Electric Power Industry
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岡本 博
東大院新領域:jst-crest
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Seki Shiro
Batteries And Electrochemical Materials Materials Science Research Laboratory Central Research Insti
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下位 幸弘
産総研ナノシステム
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竹谷 純一
大阪大学 理学研究科 化学専攻
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竹谷 純一
大阪大学
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長谷川 達生
産総研
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高槻 有一
阪大院理
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松井 弘之
産総研光技術
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長谷川 達生
産総研光技術
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青野 正和
東理大理
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物材機構mana
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添田 敦史
阪大院理
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山田 公一
電中研
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岩崎 義己
阪大理
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原 康二
阪大理
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岩佐 義宏
東大院工
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木島 正志
筑波大院数物
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原 康二
名大
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朴 仁用
東大新領域
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桑原 祐司
理研
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赤井 恵
大阪大学大学院工学研究科
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齋藤 彰
阪大院工
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桑原 裕司
阪大院工
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赤井 恵
阪大院工
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竹谷 純一
JST-さきがけ
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川西 隆史
阪大院工
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藤原 孝彰
阪大院工
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三輪 一元
電力中央研究所
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松井 弘之
産総研:東大新領域
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松井 弘之
東大院新領域
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斎藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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朴 仁用
東大工:crest(jst)
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長谷川 達生
産業技術総合研究所 光技術研究部門
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竹谷 純一
阪大産研:阪大院利
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齋藤 彰
理研 Sprine-8:大阪大院工:科学技術振興機構icorp
著作論文
- 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYD-16 極薄ゲート絶縁膜を有する有機単結晶トランジスタの高密度キャリア注入(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pYG-13 有機半導体単結晶の表面キャリアドープ層と金属電極の界面接触抵抗とその電界効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-12 有機単結晶トランジスタにおける第二ゲート変調を用いた接触抵抗の低減効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-13 有機半導体単結晶の表面キャリアドープ層と金属電極の界面接触抵抗とその電界効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pYG-12 有機単結晶トランジスタにおける第二ゲート変調を用いた接触抵抗の低減効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTB-2 電荷移動効果による有機単結晶表面へのキャリアドーピングと面内輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTG-15 空気中で動作するn型有機単結晶トランジスタ(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRB-2 有機単結晶トランジスタのホール効果と結晶内キャリア伝導(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRB-3 有機単結晶トランジスタの磁場中キャリア伝導特性(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-4 アクセプター分子薄膜/ルブレン単結晶電界効果トランジスタのホール効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-6 高移動度有機単結晶トランジスタのホール効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-10 ヨウ素気相ドーピングされたルブレン単結晶の電子スピン共鳴(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴における界面修飾効果(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-5 ルブレン単結晶のフェムト秒分光 : 光キャリア生成の励起エネルギー依存性(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYD-9 ルブレン単結晶における励起子・光キャリアダイナミクスの温度依存性(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pYG-14 低電圧駆動有機単結晶トランジスタ(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-14 低電圧駆動有機単結晶トランジスタ(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pTB-9 有機単結晶/単分子膜ケミカルセンサのホール効果(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-8 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴による界面分子配向観測(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-5 ルブレン単結晶FETの短チャネル化(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-4 電離度を高めたイオン液体を用いた有機単結晶FET(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-3 イオン液体を用いた高性能有機単結晶FET(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pTG-16 有機単結晶トランジスタにおけるリン酸系自己組織化単分子膜の効果(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-5 単分子膜付きルブレン単結晶電界効果トランジスタのホール効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)