山岸 正和 | 阪大院理

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概要

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• 山岸 正和

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• 竹谷 純一

  阪大理

• 植村 隆文

  阪大院理

• 竹谷 純一

  阪大院理

• 岡田 悠悟

  阪大院理

• 富成 征弘

  阪大院理

• 竹谷 純一

  阪大産研:阪大院利

• 添田 淳史

  阪大院理

• 中澤 康浩

  阪大院理

• 添田 淳史

  東大新領域:阪大工

• 高槻 有一

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• 西川 尚男

  東北大金研

• 山岸 正和

  阪大理

• 中澤 康浩

  阪大理

• 宇野 真由美

  大阪府産技研

• 宇野 真由美

  大阪府立産業技術総合研究所

• 宇野 真由美

  阪大院理

• 中山 健吾

  阪大院理

• 西川 尚男

  阪大院理

• 富成 征弘

  阪大理

• 瀧宮 和男

  広島大工

• 三輪 一元

  阪大院理

• 西川 尚男

  セイコーエプソン(株)

• 中澤 康浩

  大阪大学

• Takimiya Kazuo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 植村 隆文

  阪大産研

• 竹谷 純一

  阪大産研

• Tanaka K

  Kyoto Univ. Kyoto

• Takahashi Kazuyuki

  Institute For Molecular Science And Crest Japan Science And Technology Agency

• 広瀬 友里

  阪大院理

• 瀧宮 和男

  広大院工

• 平原 律雄

  阪大理

• 川瀬 健夫

  セイコーエプソン

• 平原 律雄

  大阪大学

• 三輸 一元

  Central Research Institute Of Electric Power Industry

• 中尾 朗子

  高エ研

• 難波 直子

  阪大院理

• 品村 祥司

  広島大工

• 岩佐 義宏

  東北大金研

• 中尾 朗子

  高エネ研

• 池畑 誠一郎

  東理大理

• 高槻 有一

  阪大理

• 岡田 悠悟

  阪大理

• 添田 淳史

  阪大理

• 三輪 一元

  阪大理

• 宇野 真由美

  阪大理

• 橋坂 昌幸

  東工大極低温セ:東工大院物性物理

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 添田 敦史

  阪大院理

• 土井 伊織

  広大院工

• 山田 公一

  電中研

• 岩崎 義己

  阪大理

• 原 康二

  阪大理

• 黒田 寿文

  東京理科大

• 池畑 誠一郎

  東京理科大

• 岩佐 義宏

  東北大 金属材料研

• 原 康二

  名大

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 池畑 誠一郎

  東大 理

• 藤澤 利正

  東工大院理工

• 黒田 寿文

  電中研:東京理科大

• 中尾 朗子

  KEK-PF/CMRC

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  阪大産研

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  東工大院理工

• 山岸 正和

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著作論文

• 22pGS-8 イオン液体を用いたルブレン単結晶トランジスタのホール効果(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGS-7 ルブレン単結晶トランジスタへの高密度キャリア注入と異常な電界効果(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-4 高移動度ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン結晶性塗布膜のホール効果(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYD-16 極薄ゲート絶縁膜を有する有機単結晶トランジスタの高密度キャリア注入(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYD-7 Dinaphthothienothiophene薄膜トランジスタのホール効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pYG-13 有機半導体単結晶の表面キャリアドープ層と金属電極の界面接触抵抗とその電界効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-12 有機単結晶トランジスタにおける第二ゲート変調を用いた接触抵抗の低減効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-13 有機半導体単結晶の表面キャリアドープ層と金属電極の界面接触抵抗とその電界効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-12 有機単結晶トランジスタにおける第二ゲート変調を用いた接触抵抗の低減効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aTB-2 電荷移動効果による有機単結晶表面へのキャリアドーピングと面内輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTG-15 空気中で動作するn型有機単結晶トランジスタ(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-2 有機単結晶トランジスタのホール効果と結晶内キャリア伝導(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-3 有機単結晶トランジスタの磁場中キャリア伝導特性(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-4 アクセプター分子薄膜/ルブレン単結晶電界効果トランジスタのホール効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-6 高移動度有機単結晶トランジスタのホール効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pYF-4 有機絶縁性単結晶と有機半導体単結晶を貼り合わせた高移動度電界効果トランジスタ(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-12 有機電界効果トランジスタにおけるホール効果測定(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRL-10 塗布結晶化法による有機半導体単結晶とその高移動度トランジスタ特性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-3 有機単結晶電界効果トランジスタの圧力下伝導特性測定(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-1 有機半導体のホール効果とキャリアのコヒーレンス(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aPS-93 量子ポイント接合間における背景電荷ゆらぎの相関測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pTG-1 有機トランジスタのホール効果とキャリアのコヒーレンス(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))

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