竹谷 純一 | 阪大産研:阪大院利
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概要
関連著者
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竹谷 純一
阪大産研:阪大院利
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竹谷 純一
阪大理
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岡田 悠悟
阪大院理
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阪大院理
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竹谷 純一
阪大院理
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山岸 正和
阪大院理
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植村 隆文
阪大産研
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竹谷 純一
阪大産研
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添田 淳史
阪大院理
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三輪 一元
阪大院理
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中澤 康浩
阪大院理
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添田 淳史
東大新領域:阪大工
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高槻 有一
阪大院理
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宇野 真由美
大阪府立産業技術総合研究所
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宇野 真由美
大阪府産技研
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瀧宮 和男
広島大工
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Tanaka K
Kyoto Univ. Kyoto
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Takahashi Kazuyuki
Institute For Molecular Science And Crest Japan Science And Technology Agency
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三輪 一元
阪大産研
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石川 征靖
東大物性研
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中澤 康浩
大阪大学
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竹谷 純一
東大物性研
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三輸 一元
Central Research Institute Of Electric Power Industry
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Takimiya Kazuo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
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広瀬 友里
阪大院理
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宇野 真由美
阪大院理
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小林 伸彦
筑波大数物
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岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
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黒田 新一
名大院工
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竹延 大志
東北大金研
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山岸 正和
阪大理
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田中 久暁
名大院工
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小林 伸彦
筑波大院数理物質電物
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産総研:crest:東大新領域
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丸本 一弘
筑波大院数物
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岩佐 義宏
東大 工
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上村 紘崇
東大院新領域
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瀧宮 和男
広大院工
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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岩佐 義宏
東大院工
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新井 徳道
筑波大院数物
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下位 幸弘
産総研ナノテク
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広瀬 賢二
NECナノエレ研
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丸本 一弘
筑波大院数物:jstさきがけ
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中沢 康浩
東大物性研
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酒井 謙一
東工大院理工
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小林 伸彦
理化学研究所表面界面工学研究室
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竹延 大志
東北大 金属材料研
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石井 宏幸
筑波大数物
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下位 幸弘
産総研ナノシステム
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広瀬 賢二
Nec
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酒井 謙一
阪大産研
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北岡 慎
阪大産研
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石井 宏幸
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小林 伸彦
筑波大
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中尾 朗子
高エ研
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難波 直子
阪大院理
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品村 祥司
広島大工
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岡本 博
東大院新領域
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松崎 弘幸
東大新領域
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岡本 博
東大新領域
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岩佐 義宏
東北大金研
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森 勇介
阪大・院工
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木村 剛
阪大基礎工
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木村 剛
阪大院基礎工
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若林 裕助
阪大基礎工
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松崎 弘幸
東大院新領域
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中尾 朗子
高エネ研
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若林 裕輔
物構研
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池畑 誠一郎
東理大理
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高槻 有一
阪大理
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岡田 悠悟
阪大理
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添田 淳史
阪大理
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三輪 一元
阪大理
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宇野 真由美
阪大理
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松井 裕太
東大院新領域
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高橋 義典
大阪大学大学院工学研究科
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吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
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北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
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村上 浩一
筑波大院数物
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村上 浩一
筑波大学数理物質科学研究科
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若林 祐助
物構研
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富成 征弘
阪大院理
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中澤 康浩
阪大理
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黒田 寿文
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池畑 誠一郎
東京理科大
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筑波大院数物
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筑波大院数物
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西川 尚男
東北大金研
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田尾 祥一
東大新領域
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高橋 義典
大阪大学大学院 工学研究科
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所 のぞみ
阪大院理
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吉住 昌将
阪大院理
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中澤 康浩
東大物性研
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池畑 誠一郎
東大 理
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大谷 直也
東大工
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上村 紘崇
東大新領域
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森 勇介
阪大院工
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高橋 義典
阪大院工
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吉村 政志
阪大院工
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笹井 謙一
阪大院工
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北岡 康夫
阪大院工
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時山 司
阪大院工
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松川 健
阪大院工
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矢田 祐之
京大院理
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北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
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吉村 政志
大阪大学大学院 工学研究科
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松川 健
大阪大学大学院 工学研究科
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上村 絋崇
東大院新領域
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北岡 康夫
大阪大学工学部
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岩佐 義宏
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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岡本 博
東大院新領域:jst-crest
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辻 大毅
筑波大院数物
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竹延 大志
早大院理工
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木村 剛
大阪大学大学院基礎工学研究科
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黒田 寿文
電中研:東京理科大
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中尾 朗子
KEK-PF/CMRC
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内田 隆介
東大院新領域
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岡田 悠吾
阪大院理
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山岸 正和
阪大産研
-
矢田 祐之
東大院新領域
-
竹谷 純一
大阪大学 理学研究科 化学専攻
-
内田 隆介
東大新領域
著作論文
- 領域7,領域9「有機半導体界面における電子状態プローブの新展開」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
- 22pGS-8 イオン液体を用いたルブレン単結晶トランジスタのホール効果(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-7 ルブレン単結晶トランジスタへの高密度キャリア注入と異常な電界効果(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-4 高移動度ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン結晶性塗布膜のホール効果(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-2 表面X線散乱法によるルブレンFET界面の構造観測 : ゲート電圧効果(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGP-8 固体液体界面における2次元狭窄系の電界効果(21aGP 領域9,領域7合同シンポジウム:分子狭窄系の物理,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGR-4 ルブレン単結晶における励起子緩和とコヒーレントフォノン(23aGR 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYF-4 有機絶縁性単結晶と有機半導体単結晶を貼り合わせた高移動度電界効果トランジスタ(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYD-7 イオン液体を用いた電界効果による電荷移動錯体の低温輸送特性の制御(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 2a-TC-8 YBa_2(Cu_M_x)_3O_ (M=Ni, Zn)の比熱
- 2a-TC-2 YBa_2Cu_3O_ (0≤δ≤1)の低温、Tc付近の比熱
- 24a-K-11 CuサイトをZn, Al, Niで置換したBa_2YCu_3O_yの比熱
- 25pTG-8 ルブレン単結晶の低温熱輸送特性(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRL-12 有機電界効果トランジスタにおけるホール効果測定(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-6 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRL-10 塗布結晶化法による有機半導体単結晶とその高移動度トランジスタ特性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- WANTS-NEEDS-SEEDS 3次元有機トランジスタ--縦型チャネルの集積化による有機トランジスタの高性能化
- 28aTN-3 有機単結晶電界効果トランジスタの圧力下伝導特性測定(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-1 有機半導体のホール効果とキャリアのコヒーレンス(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-2 単結晶有機半導体のホール伝導度計算(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-10 高圧におけるルブレン単結晶トランジスタのキャリア伝導とHall効果(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-1 有機トランジスタのホール効果とキャリアのコヒーレンス(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-5 ジナフトチエノチオフェンFETにおける電子輸送物性の加圧効果(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-8 過渡吸収分光による有機半導体結晶の光キャリアダイナミクスの解明(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-2 単結晶有機薄膜のキャリア輸送とホール伝導度計算(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 三次元有機トランジスタ