21pGS-2 表面X線散乱法によるルブレンFET界面の構造観測 : ゲート電圧効果(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-03-01
著者
-
木村 剛
阪大基礎工
-
木村 剛
阪大院基礎工
-
若林 裕助
阪大基礎工
-
竹谷 純一
阪大理
-
若林 裕輔
物構研
-
若林 祐助
物構研
-
木村 剛
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
竹谷 純一
阪大産研:阪大院利
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