池畑 誠一郎 | 東大 理
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概要
関連著者
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池畑 誠一郎
東大 理
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池畑 誠一郎
東理大理
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理研
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電中研
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阪大理
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黒田 寿文
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原 康二
名大
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東理大理
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株式会社豊田中央研究所
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石井 裕司
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江間 泰示
東大 理
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(独)物質・材料研究機構wpi国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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竹谷 純一
阪大産研:阪大院利
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加藤 潤
電中研:東京理科大
著作論文
- 22pHQ-3 (C_4H_4N_2)HBF_4のプロトン伝導度の変化と相転移(22pHQ 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 22pHQ-1 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2の水素結合とプロトンの運動(22pHQ 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 20pYH-5 超プロトン伝導体CsHXO_4のプロトン伝導出現温度の規則性(20pYH 超イオン導伝体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 26pYF-4 有機絶縁性単結晶と有機半導体単結晶を貼り合わせた高移動度電界効果トランジスタ(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 2p-B-8 アルカリ金属をdopeしたPentacene系分子の静帯滋率
- 21pXA-1 超プロトン伝導体のμSR(誘電体(水素結合系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pRG-13 プロトン伝導体のμSRII : 超プロトン伝導体(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 21pRB-1 スプリットゲート電極による有機単結晶トランジスタのキャリア注入制御(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYF-7 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導2(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWB-4 Cs_3H(SeO_4)_2超プロトン導電体の一軸性応力とプロトンダイナミクス(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 26aRL-8 ヨウ素ドーピングしたアントラセン薄膜の構造(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRG-6 MHXO_4の超プロトン伝導相における核格子緩和時間(24pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 24pRG-5 M_3H(XO_4)_2の超プロトン伝導相における核格子緩和時間の周波数依存性(24pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 24pRG-4 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2の超イオン伝導相転移における同位体効果(24pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 27aXA-13 Cs_xRb_H_2PO_4の超プロトン伝導実現性(超イオン導電体・イオン導電体I,領域5,光物性)
- 27aXA-12 有機無機性物質(C_4H_4N_2)HBF_4のプロトン伝導性(超イオン導電体・イオン導電体I,領域5,光物性)
- 27aXA-11 プロトン伝導体Rb_3H(SeO_4)_2における薄膜の形状評価とプロトン伝導性(超イオン導電体・イオン導電体I,領域5,光物性)
- 27pRF-8 (C_4H_4N_2)HBF_4の相転移に伴う歪みの変化(27pRF 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pVD-10 MHXO_4の薄膜化と準安定な構造(29pVD 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 29pVD-9 超プロトン伝導体Cs_3H(SeO_4)_2のプロトン自由度と対称性(29pVD 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 21pVE-4 (C_4H_4N_2)HBF_4の相転移,NMR測定(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aTB-7 ヨウ素をドープしたアントラセンの電気的特性と磁化率測定(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYH-6 CsHSeO_4の相転移と比熱(20pYH 超イオン導伝体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 24pYJ-9 超プロトン伝導体CsHSeO_4のテラヘルツ時間領域分光測定(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pYJ-10 Rb_3H(SeO_4)_2薄膜の電気伝導度とNMR(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pYJ-13 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2の輸率の評価(I)(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aYE-5 (C_4H_4N_2)HBF_4の相転移(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTR-11 Rb_3H(SeO_4)_2の薄膜作製と評価 : II(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
- 24aTR-12 CsHSeO_4の薄膜作製と電気伝導性(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
- 21aTE-4 ピリダジン過塩素酸塩(C_4H_4N_2)HClO_4のスピン格子緩和(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pRB-11 ブレークジャンクション法による有機導体のコンダクタンスの測定(28pRB TMTSF/TMTTF系等,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYH-11 DNA薄膜のイオン伝導性とFETへの応用(超イオン伝導体,領域5(光物性))
- 21pZA-2 M_2XO_4超イオン導電体の相転移温度の規則性(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
- 26pYF-7 アセン系分子性導体のドーピング効果と電気伝導性(I)(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pWB-3 Rb_3H(SeO_4)_2の薄膜作成と評価(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 28pRG-11 M_3H(XO_4)_2超プロトン導電体の相転移温度の規則性(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 25aYH-10 Tl_2SeO_4のイオン伝導性と^Tl-NMR(超イオン伝導体,領域5(光物性))
- 25aYH-1 超プロトン伝導体Rb_3H(SeO_4)_2の強弾性とプロトン伝導性(超イオン伝導体,領域5(光物性))
- 12pTL-3 低温域における Cs_3H(SeO_4)_2 の核格子緩和時間(誘電体, 領域 10)
- 15aWF-1 ルビジウムをドープしたペンタセンの X 線回折(高圧物性・構造解析, 領域 7)
- 7a-C-1 低温における乱れた糸
- 3p-DS-13 Si:Pの高磁場磁化測定