松尾 康光 | 東理大理
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概要
関連著者
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松尾 康光
東理大理
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東大 理
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高橋 圭佑
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久田 敬祐
東理大理
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斉藤 恵子
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山内 崇
東理大理
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佐々木 幸生
東理大理
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中島 啓博
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川内 伸哉
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加藤 貴昭
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Czapla Z.
Wroclaw Univ.
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加藤 良昭
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千葉大自然
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東京理科大学総合研究機構
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平川 一彦
東大生研
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高橋 善樹
東京大学理学研究科物理学専攻
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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清水 雄也
福井大工
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上村 洸
東理大理
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高橋 善樹
東理大理
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上村 洸
東京理科大学理学部応用物理
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上村 洸
東大理物理
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上村 洸
東京大学理学部物理学教室
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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Czapla Z.
Institute of Experimental Physics, Wroclaw Univ.
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近藤 孝志
東大生研
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Czapla Z.
Institute Of Chemistry University Of Wroc〓aw
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近藤 孝志
村田製作所
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南 瑠美子
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高橋 圭祐
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横井 泰弘
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東京大
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西大條 完
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川嶋 啓之
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丸尾 亮介
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佐藤 哲裕
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小泉 郁恵
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福家 哲郎
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久田 啓祐
東理大理
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神長 一恵
東理大理
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古本 真一
東理大理
著作論文
- 15pXA-1 超プロトン伝導体 CsHSO_4 の強弾性とプロトン伝導性(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
- 23pWB-4 Cs_3H(SeO_4)_2超プロトン導電体の一軸性応力とプロトンダイナミクス(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 15aXA-10 超イオン伝導体 Cs_3H(SeO_4)_2 の一軸性応力による効果(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
- 29pXS-12 超イオン伝導体Cs_3H(SeO_4)_2の相転移と^1H-NMR(超イオン伝導体)(領域5)
- 31aXJ-5 [(CH_2OH)_3CNH_3]_2SiF_6 の相転移と核磁気共鳴
- 22aYQ-2 M_3H(XO_4)_2(M:K,Rb;X:S,Se)の低温域におけるプロトンダイナミクス
- 23pX-4 K_3H(SeO_4)_2の低温相転移とNMR
- 23pWB-2 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2のテラヘルツ時間領域分光測定(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 27pYR-5 Tl_3H(SO_4)_2の相転移
- 17aWE-4 Tl_3H(SO_4)_2の核格子緩和時間
- 29aZB-13 セシウムをドープしたペンタセンの電気伝導
- 17aWE-5 K_3D_H_X(XO_4)_2 (X=S, Se)の核磁気共鳴
- 19pXB-15 重水素置換DNAのMNR(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 15pXA-4 DNA を電解質に使用した燃料電池(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
- 20pWF-7 アルカリ金属ドープペンタセンの電気伝導度
- 27aYX-3 ペンタセンのドーピングと構造変化
- 27aYX-1 ナトリウムをドープしたペンタセンの帯磁率
- 24pE-2 ヨウ素をドープしたペンタセンの低温域の相転移
- 25aYH-11 DNA薄膜のイオン伝導性とFETへの応用(超イオン伝導体,領域5(光物性))
- 15aXA-13 M_3H(XO_4)_2 型結晶の燃料電池の創製とインピーダンス特性(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
- 30pXF-7 Tl_3H(SO_4)_2の燃料電池(II)(超イオン伝導体)(領域5)
- 20pXC-4 Tl_3H (SO_4)_2 の燃料電池
- 28pYD-4 ペンタセンと強誘電性物質を用いた FET の作成と電気的特性
- 27aYX-2 ルビジウムドープベンタセンの核磁気共鳴
- 22aYG-3 ルビジウムドープペンタセンの帯磁率
- 22aZK-6 ルビジウムドープペンタセンのステージ構造とNMR
- 21pZA-2 M_2XO_4超イオン導電体の相転移温度の規則性(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
- 26pYF-7 アセン系分子性導体のドーピング効果と電気伝導性(I)(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pWB-3 Rb_3H(SeO_4)_2の薄膜作成と評価(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 28pRG-11 M_3H(XO_4)_2超プロトン導電体の相転移温度の規則性(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 25aYH-10 Tl_2SeO_4のイオン伝導性と^Tl-NMR(超イオン伝導体,領域5(光物性))
- 25aYH-1 超プロトン伝導体Rb_3H(SeO_4)_2の強弾性とプロトン伝導性(超イオン伝導体,領域5(光物性))
- 12pTL-3 低温域における Cs_3H(SeO_4)_2 の核格子緩和時間(誘電体, 領域 10)
- 15aWF-1 ルビジウムをドープしたペンタセンの X 線回折(高圧物性・構造解析, 領域 7)
- 15aWE-1 アーク放電法によるシリコンクラスターの作成(クラスレート・ゼオライト, 領域 7)
- 22aYQ-1 Rb_3H(SeO_4)_2の強弾性相における伝導性とプロトンダイナミクス
- 23pX-9 CsHSeO_4単結晶の相転移とNMR II
- 23pX-5 Rb_3H(Se0_4)_2のNMR : 電場効果 II
- 27aYJ-12 CsHSeO_4単結晶の相転移とNMR
- 27aYJ-7 Rb_3H(SeO_4)_2のNMR : 電場効果
- 30p-M-12 M_3H(SeO_4)_2型結晶の強弾性相転移におけるプロトンのダイナミクス
- 26p-A-2 Rb_3H(SeO_4)_2の電気伝導性とNMR
- 20pXC-3 K_3H (SO_4)_2 の強弾性と超イオン伝導相転移
- 28pRG-12 CsHSO_4プロトン伝導体における相転移の可逆・不可逆性(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 19pXB-12 CsHSeO_4における異方性を示す超プロトン伝導相転移の前駆現象と応力効果(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 25aYH-2 超イオン伝導体CsHSeO_4におけるプロトン輸送(超イオン伝導体,領域5(光物性))
- 15aXA-11 M_3H(XO_4)_2 型結晶の拡散係数とプロトン伝導性(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
- 19pXB-14 CsH_2P0_4の格子歪と超プロトン伝導性(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 27pZP-6 ペンタセン薄膜と強誘電体を用いたFETの作成と電気的特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 25a-M-4 ヨウ素をドープしたペンタセンのステージ構造
- 22pYQ-15 Tl_2SeO_4における^Tl-NMR吸収線の温度依存性
- 22pX-1 Tl_2SeO_4の相転移とNMR
- 19pXB-13 CsHSO_4の薄膜生成とその電気的評価(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 22aYQ-3 CsHSeO_4単結晶におけるプロトンダイナミクスと核格子緩和時間
- 27pZP-6 ペンタセン薄膜と強誘電体を用いたFETの作成と電気的特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 22pXG-3 ヨウ素をドープしたペンタセン薄膜と強誘電体を用いた FET の作製と電気的特性
- 22aXG-10 ルビジウムペンタセンの金属的電気伝導性
- 30pXF-1 KHSO_4におけるドメインとイオン伝導(超イオン伝導体)(領域5)
- 20pXC-5 KHSO_4 における電気伝導性と核格子緩和時間
- 28pRG-10 MHXO_4の超プロトン伝導相における輸送現象(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 19pXB-16 DNA-Naのイオン伝導性(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 29pWN-10 DNAのイオン伝導におけるドーピング効果(導電性高分子)(領域7)
- 19pXA-8 ドープしたペンタセンのNMR(分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 15aXA-12 CsHSeO_4 の ^Se-NMR(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
- 30pXF-8 Rb_3H(SeO_4)_2電解質の交流インピーダンス(超イオン伝導体)(領域5)
- 28pXJ-1 KHSO_4 の相転移機構
- 28pYD-13 DNA の電気伝導
- 17pWE-11 CsHXO_4(X:Se,S)の相転移と熱電能
- 7aSH-3 TIHS04における異常な電気伝導性(誘電体,領域10)
- 7aSH-5 水素結合型結晶の超イオン伝導相における電気的特性(誘電体,領域10)
- 7aSH-1 Tl3H(S04)2の低温相転移(誘電体,領域10)
- 7aSH-4 水素結合型結晶の量子効果と核格子緩和時間(誘電体,領域10)
- 24aXS-11 K_3D_1-xH_x(XO_4)_2(X=S,Se)の重水素NMR(24aXS 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 25pXM-16 ペンタセンを基板とした電界効果型トランジスタ(25pXM ET-TCNQ系・新物質(中性イオン性転移・実験技術を含む),領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 24aXS-12 Tl_3H(SO_4)_2の低温域でのプロトンダイナミクス(24aXS 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))