22pXG-3 ヨウ素をドープしたペンタセン薄膜と強誘電体を用いた FET の作製と電気的特性

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 池畑 誠一郎

  東理大理

• 松尾 康光

  摂南大工

• 松尾 康光

  東理大理

• 山田 浩敬

  東理大理

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