28pRG-11 M_3H(XO_4)_2超プロトン導電体の相転移温度の規則性(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 池畑 誠一郎

  東理大理

• 松尾 康光

  摂南大工

• 羽取 純子

  摂南大工

• 羽取 純子

  東理大理

• 池畑 誠一郎

  東大 理

• 松尾 康光

  東理大理

関連論文

• 22pHQ-3 (C_4H_4N_2)HBF_4のプロトン伝導度の変化と相転移(22pHQ 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 22pHQ-1 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2の水素結合とプロトンの運動(22pHQ 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 20pYH-5 超プロトン伝導体CsHXO_4のプロトン伝導出現温度の規則性(20pYH 超イオン導伝体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 26pYF-4 有機絶縁性単結晶と有機半導体単結晶を貼り合わせた高移動度電界効果トランジスタ(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 単安定強誘電性液晶のスメクティック層のせん断変形
• 21pXA-1 超プロトン伝導体のμSR(誘電体(水素結合系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pRG-13 プロトン伝導体のμSRII : 超プロトン伝導体(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 15pXA-1 超プロトン伝導体 CsHSO_4 の強弾性とプロトン伝導性(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
• 21pRB-1 スプリットゲート電極による有機単結晶トランジスタのキャリア注入制御(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pYF-7 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導2(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWB-4 Cs_3H(SeO_4)_2超プロトン導電体の一軸性応力とプロトンダイナミクス(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 15aXA-10 超イオン伝導体 Cs_3H(SeO_4)_2 の一軸性応力による効果(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
• 29pXS-12 超イオン伝導体Cs_3H(SeO_4)_2の相転移と^1H-NMR(超イオン伝導体)(領域5)
• 単一微小トンネル接合のクローンブロッケイドに対する環境の影響
• 31aXJ-5 [(CH_2OH)_3CNH_3]_2SiF_6 の相転移と核磁気共鳴
• 22aYQ-2 M_3H(XO_4)_2(M:K,Rb;X:S,Se)の低温域におけるプロトンダイナミクス
• 23pX-4 K_3H(SeO_4)_2の低温相転移とNMR
• 26aRL-8 ヨウ素ドーピングしたアントラセン薄膜の構造(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRG-6 MHXO_4の超プロトン伝導相における核格子緩和時間(24pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 24pRG-5 M_3H(XO_4)_2の超プロトン伝導相における核格子緩和時間の周波数依存性(24pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 24pRG-4 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2の超イオン伝導相転移における同位体効果(24pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 23pWB-2 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2のテラヘルツ時間領域分光測定(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 27aXA-13 Cs_xRb_H_2PO_4の超プロトン伝導実現性(超イオン導電体・イオン導電体I,領域5,光物性)
• 27aXA-12 有機無機性物質(C_4H_4N_2)HBF_4のプロトン伝導性(超イオン導電体・イオン導電体I,領域5,光物性)
• 27aXA-11 プロトン伝導体Rb_3H(SeO_4)_2における薄膜の形状評価とプロトン伝導性(超イオン導電体・イオン導電体I,領域5,光物性)
• 27pRF-8 (C_4H_4N_2)HBF_4の相転移に伴う歪みの変化(27pRF 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pVD-10 MHXO_4の薄膜化と準安定な構造(29pVD 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 29pVD-9 超プロトン伝導体Cs_3H(SeO_4)_2のプロトン自由度と対称性(29pVD 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 21pVE-4 (C_4H_4N_2)HBF_4の相転移,NMR測定(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aTB-7 ヨウ素をドープしたアントラセンの電気的特性と磁化率測定(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pYH-6 CsHSeO_4の相転移と比熱(20pYH 超イオン導伝体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 24pYJ-9 超プロトン伝導体CsHSeO_4のテラヘルツ時間領域分光測定(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pYJ-10 Rb_3H(SeO_4)_2薄膜の電気伝導度とNMR(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pYJ-13 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2の輸率の評価(I)(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aYE-5 (C_4H_4N_2)HBF_4の相転移(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aTR-11 Rb_3H(SeO_4)_2の薄膜作製と評価 : II(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
• 24aTR-12 CsHSeO_4の薄膜作製と電気伝導性(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
• 21aTE-4 ピリダジン過塩素酸塩(C_4H_4N_2)HClO_4のスピン格子緩和(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pYR-5 Tl_3H(SO_4)_2の相転移
• 17aWE-4 Tl_3H(SO_4)_2の核格子緩和時間
• 29aZB-13 セシウムをドープしたペンタセンの電気伝導
• 17aWE-5 K_3D_H_X(XO_4)_2 (X=S, Se)の核磁気共鳴
• 28pRB-11 ブレークジャンクション法による有機導体のコンダクタンスの測定(28pRB TMTSF/TMTTF系等,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pXB-15 重水素置換DNAのMNR(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 15pXA-4 DNA を電解質に使用した燃料電池(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
• 20pWF-7 アルカリ金属ドープペンタセンの電気伝導度
• 27aYX-3 ペンタセンのドーピングと構造変化
• 27aYX-1 ナトリウムをドープしたペンタセンの帯磁率
• 24pE-2 ヨウ素をドープしたペンタセンの低温域の相転移
• 25aYH-11 DNA薄膜のイオン伝導性とFETへの応用(超イオン伝導体,領域5(光物性))
• 15aXA-13 M_3H(XO_4)_2 型結晶の燃料電池の創製とインピーダンス特性(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
• 30pXF-7 Tl_3H(SO_4)_2の燃料電池(II)(超イオン伝導体)(領域5)
• 20pXC-4 Tl_3H (SO_4)_2 の燃料電池
• 28pYD-4 ペンタセンと強誘電性物質を用いた FET の作成と電気的特性
• 22aYG-3 ルビジウムドープペンタセンの帯磁率
• 22aZK-6 ルビジウムドープペンタセンのステージ構造とNMR
• 液晶性モノマを用いて作製した高チルト角単安定強誘電性液晶
• PA30 ポリマーの分子量が液晶との相分離に及ぼす影響(物理・物性)
• ポリマ分散に伴う高チルト角強誘電性液晶の単安定動作(ショートノート)
• 強誘電性液晶の分子配向における単安定/双安定遷移現象
• 液晶性モノマーで形成したポリマー膜のアンカリング効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 液晶性モノマーで形成したポリマー膜のアンカリング効果
• 液晶性モノマーで形成したポリマー膜のアンカリング効果
• PA37 液晶とポリマー繊維の光重合相分離におけるポリマー分子量の硬化温度依存性(物理・物性)
• 強誘電性液晶/ポリマー複合膜におけるポリマー繊維形成のビデオ観察
• ポリマー繊維で安定化した強誘電性液晶のメモリ効果
• 配向ポリマー壁で囲まれた強誘電性液晶の層構造変化(表示記録用有機材料およびデバイス)
• 配向ポリマー壁で囲まれた強誘電性液晶の層構造変化
• 配向ポリマー壁で囲まれた強誘電性液晶の層構造変化
• ポリマー繊維を分散した強誘電性液晶のメモリ効果
• ポリマー繊維を分散した強誘電性液晶のメモリ効果
• 21pZA-2 M_2XO_4超イオン導電体の相転移温度の規則性(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
• 26pYF-7 アセン系分子性導体のドーピング効果と電気伝導性(I)(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pWB-3 Rb_3H(SeO_4)_2の薄膜作成と評価(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 28pRG-11 M_3H(XO_4)_2超プロトン導電体の相転移温度の規則性(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 25aYH-10 Tl_2SeO_4のイオン伝導性と^Tl-NMR(超イオン伝導体,領域5(光物性))
• 25aYH-1 超プロトン伝導体Rb_3H(SeO_4)_2の強弾性とプロトン伝導性(超イオン伝導体,領域5(光物性))
• 12pTL-3 低温域における Cs_3H(SeO_4)_2 の核格子緩和時間(誘電体, 領域 10)
• 15aWF-1 ルビジウムをドープしたペンタセンの X 線回折(高圧物性・構造解析, 領域 7)
• 15aWE-1 アーク放電法によるシリコンクラスターの作成(クラスレート・ゼオライト, 領域 7)
• 22aYQ-1 Rb_3H(SeO_4)_2の強弾性相における伝導性とプロトンダイナミクス
• 23pX-9 CsHSeO_4単結晶の相転移とNMR II
• 23pX-5 Rb_3H(Se0_4)_2のNMR : 電場効果 II
• 27aYJ-12 CsHSeO_4単結晶の相転移とNMR
• 27aYJ-7 Rb_3H(SeO_4)_2のNMR : 電場効果
• 30p-M-12 M_3H(SeO_4)_2型結晶の強弾性相転移におけるプロトンのダイナミクス
• 26p-A-2 Rb_3H(SeO_4)_2の電気伝導性とNMR
• 20pXC-3 K_3H (SO_4)_2 の強弾性と超イオン伝導相転移
• 28pRG-12 CsHSO_4プロトン伝導体における相転移の可逆・不可逆性(28pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 19pXB-12 CsHSeO_4における異方性を示す超プロトン伝導相転移の前駆現象と応力効果(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 25aYH-2 超イオン伝導体CsHSeO_4におけるプロトン輸送(超イオン伝導体,領域5(光物性))
• 15aXA-11 M_3H(XO_4)_2 型結晶の拡散係数とプロトン伝導性(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
• 19pXB-14 CsH_2P0_4の格子歪と超プロトン伝導性(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 27pZP-6 ペンタセン薄膜と強誘電体を用いたFETの作成と電気的特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 25a-M-4 ヨウ素をドープしたペンタセンのステージ構造
• 25a-M-3 ヨウ素とルビジウムをドープしたペンタセンの核格子緩和
• 22pYQ-15 Tl_2SeO_4における^Tl-NMR吸収線の温度依存性
• 22pX-1 Tl_2SeO_4の相転移とNMR
• 27pHA-14 (C_4H_4N_2)HBF_4の^F-NMRと核格子緩和時間(27pHA 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク