青柳 克信 | 立命館大学coe推進機構
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概要
関連著者
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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青柳 克信
理研
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青柳 克信
理研フロンティア
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青柳 克彦
理研フロンティア
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青柳 克信
東工大総合理工学:crest(jst)
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石橋 幸治
理研
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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塚越 一仁
産総研:crest(jst)
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塚越 一仁
物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研
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石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
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青柳 克信
理化学研究所
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塚越 一仁
理研
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平山 秀樹
理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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佐藤 崇
筑波大数理物質
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大塚 洋一
筑波大物理:学際物質センター
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宮崎 久生
独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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小高 隼介
産総研:東工大総理工
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Ootuka Youiti
Institute Of Physics Tsukuba University
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宮崎 久生
理研
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小高 隼介
理研
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鈴木 正樹
理研:科技団戦略
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Souza M.
Jst:nagoya Univ.
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石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
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石橋 幸治
理化学研究所
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塚越 一仁
独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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野村 晋太郎
科技団:筑波大物理
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神田 晶申
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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神田 晶申
筑波大学物理
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落合 勇一
千葉大工
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青木 伸之
千葉大工
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青柳 克信
東京工業大学
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布施 智子
理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室
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後藤 秀徳
筑波大数理物質
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後藤 秀徳
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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布施 智子
理研
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森山 悟士
物材機構
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大塚 洋一
筑波大物理
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神田 晶申
筑波大物理
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田中 翔
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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森木 拓也
筑波大数理物質
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佐藤 崇
筑波大物理
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森山 悟士
理研
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大塚 洋一
筑波大数理物質
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神田 晶申
筑波大数理物質
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バード J.P.
筑波大物質工
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中村 孝夫
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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中村 孝夫
住友電工半導体研究所
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井田 徹哉
理化学研究所半導体工学研究室
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鈴木 正樹
理化学研究所半導体工学研究室
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フェリー D.
Zrizona州立大ナノ研
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青柳 克信
理研半導体工学研究室
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中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
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林 立弘
千葉大vbl
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大西 大介
千葉大工
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石橋 幸治
理研半導体
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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秋田 勝史
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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中村 孝夫
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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岩佐 義宏
東大 工
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後藤 秀徳
筑波大物理
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田中 翔
筑波大物理
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松田 一成
神奈川科学技術アカデミー
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斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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木田 理夫
千葉大工
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森山 悟士
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室
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木下 敦寛
理化学研究所
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重藤 訓志
独立行政法人理化学研究所
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野村 晋太郎
筑波大物理
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半村 清孝
理研
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青柳 克信
東工大総理工
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斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー:慶大理工
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岩佐 義宏
東北大金研
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三成 剛生
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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塚越 一仁
独立行政法人理化学研究所
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青柳 克信
独立行政法人理化学研究所
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山田 公一
電中研
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中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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鈴木 正樹
東洋大
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榎本 亮介
千葉大工
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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竹谷 純一
電中研
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森木 拓也
筑波大物理
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フェリー D.
アリゾナ州立大
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半村 清孝
理化学研究所
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高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
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田中 健一郎
理研
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木下 敦寛
早稲田大学理工学部応用化学科
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相野谷 誠
早稲田大学理工学部応用化学科
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山火 貴義
早稲田大学理工学部応用化学科
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山中 卓也
早稲田大学理工学部応用化学科
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渡邊 考太郎
千葉大工
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バード J.
アリゾナ州立大ナノ研
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武内 道一
理化学研究所・東京工業大学
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フェリー D.
アリゾナ州大
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池田 進
東北大 理GCOE
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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竹延 大志
東北大金研
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片浦 弘道
産総研
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塚越 一仁
産総研
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池畑 誠一郎
東理大理
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平山 秀樹
理研
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福井 一俊
福井大fir
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下谷 秀和
東北大金研
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川村 稔
独立行政法人理化学研究所
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重藤 訓志
理研フロンティア
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池畑 誠一郎
東京理科大
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斉木 幸一朗
東大院理
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片浦 弘道
産総研ナノテク:crest-jst
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大塚 洋一
筑波大学物理学専攻・TIMS
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津谷 大樹
物材機構
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渡部 道生
理研基幹研
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田中 翔
筑波大数理物質
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宮本 康一郎
千葉大工
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宮寺 智彦
東大理
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鈴木 正樹
東洋大学工学部
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直江 俊一
金沢大工
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池畑 誠一郎
東大 理
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津谷 大樹
理研:東工大総理工
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武内 道一
理化学研究所
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野村 晋太郎
理研
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秋田 勝史
住友電工半導体研究所
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京野 孝史
住友電工半導体研究所
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宮寺 哲彦
理研
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宮崎 久生
産総研
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小高 隼介
産総研
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池田 進
東大院新領域
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京野 孝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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黒田 寿文
電中研
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加藤 潤
電中研
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河野 行雄
理研
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河野 行雄
理化学研究所基幹研究所
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金森 由男
東大院理
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塚本 竹雄
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室
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佐藤 崇
筑波大学物理
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後藤 秀徳
筑波大学物理
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田中 翔
筑波大学物理
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伊藤 裕美
理化学研究所
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カズモフ アクレバー
独立行政法人理化学研究所
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池田 進
高エネルギー研
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三成 剛生
理化学研究所
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三成 剛生
独立行政法人理化学研究所
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宮寺 哲彦
理化学研究所
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塚越 一仁
理化学研究所
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藤森 文浩
独立行政法人理化学研究所
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濱野 哲子
独立行政法人理化学研究所
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宮寺 哲彦
独立行政法人理化学研究所
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三原 勝
理研フロンティア
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平田 彰
早稲田大学理工学部応用化学科
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Bird J.
Arizona州立大ナノ研
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Ferry D.
Arizona州立大ナノ研
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岡田 国也
福井大工
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浜浦 聡志
福井大工
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松永 泰彦
千葉大工
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虎谷 健一郎
千葉大工
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渡辺 考太郎
千葉大工
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菅原 孝宜
岡山大理
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野村 晋太郎
筑波大学物理学系
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下谷 秀和
東北大・金研
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菅原 孝宜
東北大・金研
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岩佐 義宏
東北大・金研
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津谷 大樹
理化学研究所
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青柳 克信
科技団
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高河原 俊秀
京都工織大電情
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Nair Selvakumar
トロント大ナノセンター
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野村 晋太郎
筑波大学理学系
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Kitazawa Hideaki
The Institute Of Physical And Chemical Research
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森山 悟士
理研東工大総理工
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布施 智子
理研東工大総理工
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鈴木 正樹
JST戦略創造
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青柳 克信
理研東工大総理工
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石橋 幸治
JST戦略創造
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森山 悟士
理研,東工大総理工
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布施 智子
理研,東工大総理工
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鈴木 正樹
科技団戦略
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青柳 克信
理研,東工大総理工
-
石橋 幸治
科技団戦略
-
岩瀬 義和
千葉大工
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Bird J.
Zrizona州立大ナノ研
-
Ferry D.
Zrizona州立大ナノ研
-
氏家 康
千葉大工
-
飯田 智子
千葉大工
-
J.p. バード
理研
-
菅原 孝宜
東北大金研:理研
-
重藤 訓志
理研
-
塚本 竹雄
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室:東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
塚本 竹雄
理化学研究所
-
高河原 俊秀
京都工芸繊維大学大学院電子システム工学専攻
-
三原 勝
理研
-
渡部 道生
理研
-
藤森 文浩
独立行政法人理化学研究所:東京工業大学総理工
-
黒田 寿文
電中研:東京理科大
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
加藤 潤
電中研:東京理科大
著作論文
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
- ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- トップコンタクト短チャネル有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
- ナノスケール物質電気伝導探索のためのナノギャップ電極作製と応用
- 低次元ナノ構造物質の電気特性
- 磁場印加下で2次元スキャン可能な近接場光学顕微鏡の開発
- 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pTH-11 ホール局在した n 型量子ドットアレーの近接場発光分光
- 31aYE-4 高分解能近接場光学顕微鏡による GaAs 量子ドットの励起子波動関数イメージング II
- 30pYH-12 ホールの局在した n 型量子ドットアレーの円偏向発光分光 II
- 28pTB-13 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍時間分解発光スペクトルII
- 28pTB-12 量子ドット正方格子の空間分解発光スペクトル
- 横方向超格子ナノ構造の発光分光
- 横方向超格子ナノ構造の発光分光
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
- InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
- 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 28aYH-5 単電子トランジスタの電磁場環境問題
- 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
- 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
- 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
- 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
- 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性