原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減

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概要

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• 応用物理学会の論文
• 2001-05-10

著者

• 田中 悟

  北海道大学 電子科学研究所

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 青柳 克信

  理化学研究所

• 田中 悟

  理化学研究所半導体工学研究室

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