28pTB-13 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍時間分解発光スペクトルII

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-03-09

著者

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 野村 晋太郎

  科技団:筑波大物理

• 野村 晋太郎

  筑波大物理

• 半村 清孝

  理研

• 青柳 克信

  東工大総理工

関連論文

• InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
• ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
• アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
• 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
• 31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
• 多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
• 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• トップコンタクト短チャネル有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
• 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
• ナノスケール物質電気伝導探索のためのナノギャップ電極作製と応用
• 低次元ナノ構造物質の電気特性
• LQE2000-25 パルスレーザーアブレーションによるGaNのエッチング加工
• 磁場印加下で2次元スキャン可能な近接場光学顕微鏡の開発
• 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pTH-11 ホール局在した n 型量子ドットアレーの近接場発光分光
• 31aYE-4 高分解能近接場光学顕微鏡による GaAs 量子ドットの励起子波動関数イメージング II
• 30pYH-12 ホールの局在した n 型量子ドットアレーの円偏向発光分光 II
• 28pTB-13 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍時間分解発光スペクトルII
• 28pTB-12 量子ドット正方格子の空間分解発光スペクトル
• 横方向超格子ナノ構造の発光分光
• 横方向超格子ナノ構造の発光分光
• 25pSB-13 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル II
• 24pL-9 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル
• 25pD-5 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルIII
• 31a-ZH-13 実時間実空間高次差分法を用いた非線形応答関数の計算II
• 30p-ZE-7 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルII
• 28p-YP-3 実時間実空間高次差分法を用いた非線形応答関数の計算
• 28p-YP-2 アモルファス中ナノ微結晶シリコンの紫外反射スペクトル
• 27p-YN-8 GaAs(3,1,1)B基板上InGaAs整列量子ドットの電場下PL測定
• 27p-YN-6 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトル
• 31a-YG-3 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算III
• 31a-YG-2 オーダーN・量子ダイナミクス法による微結晶の誘電関数の計算
• InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
• InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
• レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
• InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
• InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
• InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
• カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
• 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
• 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• 28aYH-5 単電子トランジスタの電磁場環境問題
• 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
• 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
• 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
• 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
• 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
• 20pTH-10 規則ポーラス構造を用いた量子ドットアレーの発光分光 II
• 29aPS-121 規則ポーラス構造を用いた量子ドットアレーの発光分光
• 29aPS-121 規則ポーラス構造を用いた量子ドットアレーの発光分光
• 20aRF-6 量子ドット構造のナノプローブフォトルミネセンス測定における発光の増強効果およびプローブ圧力効果
• 20aRF-6 量子ドット構造のナノプローブフォトルミネセンス測定における発光の増強効果およびプローブ圧力効果
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 20pWF-4 格子型ゲートによる量子ドット列とその近接場光イメージング(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-14 量子ドット端状態の電子スピン偏極度の光学検出(量子ホール効果)(領域4)
• 半導体量子ドットの磁気光学効果
• 26pCJ-3 ゲートつきGaAs量子井戸の発光微細構造(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pSA-4 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の磁場中発光寿命(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-3 発光線幅から見たトリオン-2次元電子正孔クロスオーバー(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-4 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXQ-3 ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 6pSA-11 高分解能近接場光学顕微鏡によるGaAs量子ドットの励起子波動関数イメージング(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
• 6pSA-9 規則ポーラス構造を用いた量子ドットアレーの発光分光(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
• 26pDD-8 近接場光学顕微鏡を用いたスピン分裂量子ホール端状態の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 6pSA-10 ホールの局在したn型量子ドットアレーの円偏向発光分光(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク