InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
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概要
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- 2002-02-10
著者
-
平山 秀樹
理化学研究所
-
青柳 克信
理研
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
理化学研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
木下 敦寛
理化学研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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