窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED
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概要
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High-efficiency ultraviolet (UV) light sources are very attractive for application to white lighting, high-density memories, medical fields, etc. We have demonstrated that 300-370 nm UV emission is considerably enhanced by the introduction of several percent of In into AlGaN due to an In-segregation effect. We fabricated 310 nm band UV LEDs with quaternary InAlGaN emitting layers on sapphire substrate and obtained sub-milliwatt output power. We also fabricated 350 nm band InAlGaN-based quantum-well (QW) LEDs on GaN substrates in order to eliminate the effects of threading dislocations. The maximum UV output power obtained was as high as 7.4 mW under room temperature (RT) CW operation. The maximum external quantum efficiency (EQE) was 1.1% with an injection current of 50 mA, which is the highest EQE ever obtained for 350 nm band UV LEDs with top-emission geometry.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2005-02-01
著者
-
平山 秀樹
理研
-
平山 秀樹
理化学研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
-
中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
-
中村 孝夫
住友電工半導体研究所
-
石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
-
京野 孝史
住友電工, 半導体研究所
-
秋田 勝史
住友電工, 半導体研究所
-
中村 孝夫
住友電工, 半導体研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
京野 孝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
石橋 幸治
独立行政穂人理化学研究所
-
石橋 幸治
理化学研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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