GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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我々はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)における未踏周波数領域5-12THz帯の開拓と動作温度の高温化を目指して、III族窒化物半導体を用いたTHz-QCLの開発を行っている。今回、RF-MBE成長において熱処理による液滴除去(DETA)法を用いたGaN/AlGaN系QCL構造を作製し、その構造及び発光特性を評価した。その結果、DETA法を適用することでQC構造の多周期化が可能になり、かつ構造特性が改善することが分かった。また、この方法を用いて作製したTHz-QCL構造の電流注入において、1.4〜2.8THzのサブバンド間遷移による自然放出光スペクトルの観察に初めて成功した。
- 2011-11-10
著者
-
平山 秀樹
理研
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
平山 秀樹
BEANSプロジェクト
-
平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
寺嶋 亘
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
寺嶋 亘
独立行政法人理化学研究所
-
平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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