GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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概要

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III-V族ナイトライド系半導体の代表的な化合物であるGaNの量子ドットの作製を中心に述べる。デバイス応用に必要な光・電流閉込め層となるAlGaN混晶表面上へのGaN成長に関して, 2次元的なステップフロー成長モードがAlGaN表面へのSiの供給によって3次元成長モードと遷移することを見出し, GaN量子ドット作製に有効であることを提案する。速度論あるいはエネルギー的な観点から, AlGaN表面上のGaNステップフロー成長阻害因子としてSiが機能すること, また, Siの付加によってAlGaN表面の自由エネルギーが変化することを考察した。GaN量子ドットの光学特性をフォトルミネッセンス法により評価し, GaN量子ドットからの発光エネルギーのドットサイズ依存性を確認した。更に, レーザ構造を作製し強励起により誘導放出光の観察も行った。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-01-25

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