光ICにおける技術的問題点

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本真空協会の論文

著者

• 青柳 克信

  理研フロンティア

• 青柳 克信

  理化学研究所

• 難波 進

  大阪大学基礎工学部

関連論文

• InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
• ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
• アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
• 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
• GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
• 24aPS-69 STM針による表面バンドに於ける電子の表面分布の制御
• ナノデバイスへの期待
• 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 3次元電子顕微鏡の開発
• ナノサイズのビーカーの中で何が起こるか
• 原子層成長による原子層フラクタル超格子の作製と評価
• 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25p-X-19 GaAs薄膜・量子井戸の励起子
• 2a-D-3 GaAs/AlAs多重量子井戸における磁場効果 II
• 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
• 6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
• 3a-B-13 GaAs薄膜における励起子の磁場効果
• 3p-C-17 磁場を用いたGaAs-InGaAs歪超格子のバンドオフセット値の精密決定
• 3p-C-8 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における磁場効果
• 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
• 4a-C3-18 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化
• 4a-C3-15 GaAs/Al_Ga_As多重量子井戸におけるフォトルミネッセンスの偏光特性
• GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
• 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
• 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
• AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• 26aF-12 カーボンナノチューブに形成された量子ドットの電気伝導特性
• 「応用物理」とブレークスルー
• アンチサーファクタント処理を施したGaN薄膜の貫通転位
• 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
• 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
• 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
• 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
• フロンティア研究 (国際化時代の応用物理) -- (21世紀にむけての科学技術)
• 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
• 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
• 3a-X-1 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果II
• 29a-Z-3 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果
• LQE2000-25 パルスレーザーアブレーションによるGaNのエッチング加工
• 埋め込み量子ドット界面のサイト選択的 X 線吸収測定(半導体・エレクトロニクス)
• 28pPSB-12 ナノプローブ圧による半導体量子ドットのフォトルミネセンス増強効果
• ガスソース分子線エピタキシャル成長GaNにおけるIn添加効果
• 材料科学と量子エレクトロニクス
• カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
• 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
• 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
• 29p-YN-8 Si超微結晶薄膜の磁気光学効果II
• 3a-G-17 Si超微結晶薄膜の磁気光学効果
• 30p-A-3 微小超伝導リングの磁束量子化II
• 28p-YG-7 微小超伝導リングの磁束量子化
• 28p-YG-6 微小超伝導ディスクへの渦糸侵入
• 31p-X-5 超伝導SETアイランドにおけるフラクソイドの振舞い
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 28p-ZH-1 GaAs二次元励起子のスピン緩和
• 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間
• 5a-F-12 GaAs広い量子井戸における励起子発光の偏光
• 1D112 光偏光記憶膜を用いた液晶配向制御
• 半導体量子ドットの磁気光学効果 : InP量子ドットの場合
• 28a-L-4 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性II
• 13p-DF-1 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 5p-N-8 中間電極が超伝導リングからなるSETトランジスタの電気伝導II
• 4a-M-5 フタロシアニンのレーザー励起光電導
• 30p-E-3 フタロシアニンの光伝導と電気伝導
• ホログラフィックグレ-ティングの溝の形の制御-2-イオンエッチングによる方法
• 光ICにおける技術的問題点
• 8p-C-19 フタロシアニンの光電導と電気伝導
• 3p-K-9 フタロシアニンの電気伝導
• 1a-TE-4 フタロシアニンの電気伝導とESR
• 15a-C-6 フタロシアニンの電気伝導
• フタロシアニンの電気伝導と光伝導 : 分子結晶・有機半導体
• フタロシアニンの電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
• バリスティックな量子ドットにおける伝導率ゆらぎの磁場・温度依存性
• 超伝導2重微小トンネル接合における電気伝導
• 28p-G-9 GaAs-InGaAs歪超格子の励起子束縛エネルギー(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
• 3a-YH-8 中間電極にリングのある超伝導2重微小トンネル接合における磁気抵抗振動(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)
• 28p-G-7 GaAs/AlGaAs系量子井戸の磁場効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク