埋め込み量子ドット界面のサイト選択的 X 線吸収測定(<特集>半導体・エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本材料学会の論文
- 2003-12-15
著者
-
青柳 克信
理化学研究所
-
石井 真史
物質・材料研究機構
-
石井 真史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
石井 真史
物材機構
-
石井 真史
高輝度光科学研究センター
-
尾笹 一成
理化学研究所
-
石井 真史
Spring-8高輝度光科学研究センター
-
石井 真史
高輝度光科学研究センター:理化学研究所播磨研究所
-
石井 真史
Spring-8 Jasri
-
石井 真史
(財)高輝度光化学研究センター放射光研究所
関連論文
- 固体最表面の誘電特性の測定
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
- Au/Y_2O_3界面の低温化学反応の誘電緩和による解析
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
- GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 24aPS-69 STM針による表面バンドに於ける電子の表面分布の制御
- ナノデバイスへの期待
- 3次元電子顕微鏡の開発
- 二段階プロセスで成膜したイットリア薄膜の結晶性とフッ素系ハロゲンプラズマ耐性
- ナノサイズのビーカーの中で何が起こるか
- 24pWG-3 鏡面X線反射強度曲線の時分割測定の開発(X線・粒子線(X線回折・核共鳴分光),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22aTC-5 X線鏡面反射強度曲線の時分割測定を目指した新しい測定法の開発(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 原子層成長による原子層フラクタル超格子の作製と評価
- 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- 26aF-12 カーボンナノチューブに形成された量子ドットの電気伝導特性
- 「応用物理」とブレークスルー
- アンチサーファクタント処理を施したGaN薄膜の貫通転位
- 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
- 2008年X線分析関連文献総合報告
- 2007年X線分析関連文献総合報告
- LQE2000-25 パルスレーザーアブレーションによるGaNのエッチング加工
- 埋め込み量子ドット界面のサイト選択的 X 線吸収測定(半導体・エレクトロニクス)
- 28pPSB-12 ナノプローブ圧による半導体量子ドットのフォトルミネセンス増強効果
- ガスソース分子線エピタキシャル成長GaNにおけるIn添加効果
- 材料科学と量子エレクトロニクス
- コヒーレント科学
- レーザー溶融法によるナノ微結晶Si薄膜の作製
- レーザーアブレーションによる高温超伝導薄膜の配向制御
- レーザーアプレーションによる酸化物薄膜の作成
- X線レ-ザ-への期待
- 単原子層操作とその機構
- 半導体の単原子層操作
- レーザーを用いた原子層エピタキシー
- 極限精密加工・成長 : レーザ単原子層制御結晶成長
- アルゴンレ-ザMOCVD--GaAsの原子層成長への応用 (エキシマレ-ザ・光CVD)
- 光を用いた単原子層半導体結晶成長
- 28p-YP-3 実時間実空間高次差分法を用いた非線形応答関数の計算
- パルスレ-ザ-堆積法による軟X線多層膜ミラ-の作製
- 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
- 日本原子力研究所関西研究所光量子科学研究センター
- 19pYA-3 アンジュレータの特徴を生かしたXAFSの研究
- 静電容量・静電気力による局在電子サイトの選択X線分析
- SCM-XAFS法による半導体表面顕微分光
- キャパシタンス XAFS 法 局在電子を利用した自己サイト選択
- 走査型静電容量顕微鏡の原理と応用
- MIS構造
- 空乏層
- DXセンター
- キャパシタンスXAFS法 -結晶欠陥・表面・界面の選択的構造解析-
- 有機金属分解法によって作製したY_2O_3薄膜のX線反射率測定
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
- InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- SC-4-9 2次元プレート積層による3次元フォトニック結晶の作製
- フォトニック結晶を用いた半導体レーザの将来展望
- 31P-YB-3 実時間実空間差分法を用いたフォトニック結晶共振器の共振特性の解析
- フォトニック結晶共振器を用いた集積用面発光レーザの提案
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- レーザー原子層エピタキシー
- III-V族化合物半導体材料の表面精密加工技術 : 原始層エピタキシー
- 原子層制御エピタキシャル成長技術
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 31a-ZB-5 連結型結合ドットの基礎物性
- 31a-ZB-5 連続型結合ドットの基礎物性
- 直線偏光した光により誘起された異方性を持つ高分子膜による液晶の配向制御 : 偏光記憶高分子膜による液晶の配向制御 : 情報ディスプレイ
- 28a-A-5 パルス・ポラリトンの伝播
- パルス列レーザーを用いた軟X線再結合レーザーの研究
- MBE/CBE装置の試作とその特性
- GaAsのレーザー誘起原子層エピタキシィにおけるサーマルパルス同時照射効果
- 光励起による結晶成長の制御
- 光ICにおける技術的問題点
- レーザMOVPE法によるGaAsの単原子層制御成長(アトミックルールプロセス)
- 誘電緩和を用いた高分子表面の動力学分析
- イオンエッチング法でブレーズされたホログラフィックグレーティングの製作
- 31a-N-11 Influence of Landau terraces on backscattering in a quantum dot
- 希土類添加半導体の電荷伝搬・発光過程の光励起誘電緩和法による分析
- 酸素ラジカルビーム照射による超伝導薄膜成長に及ぼす効果
- 希土類添加半導体の発光における電子と正孔の役割 (特集 光・量子ビームによるナノダイナミクス)
- 表面誘電緩和法の開発と市販ゴムシートの油劣化の非破壊評価への応用
- nc-Si:Erの電荷伝搬解析によるエネルギー伝達過程の検討
- TiO_2:Smの温度消光過程の電荷伝搬解析による検討
- イギリスでの研究生活 : 海外研究リピータになるまで
- 火を用いる1000℃以上の複素インピーダンススペクトロスコピー : 高温における物理・化学特性評価のための新手法
- 希土類添加半導体の発光における電子と正孔の役割
- 半導体ナノ構造における電子輸送
- レ-ザ-を用いた単原子層制御結晶成長 (レ-ザ-表面技術の新しい展開)
- 原子層エッチング (原子層制御から原子制御へ)
- モノづくりとスペクトロスコピ--1-量子構造をつくる--単電子層操作とそれを用いた量子井戸,量子細線の製作
- 26pXE-8 サイズ選別EXAFS測定法によるセレン・クラスターの構造解析(26pXE 結晶・アモルファス・クラスター・液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))
- 6pPSB-4 半導体量子ドットの3次元STEM観察(表面界面結晶成長,領域9)