固体最表面の誘電特性の測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-02-15

著者

• 石井 真史

  物質・材料研究機構

• 石井 真史

  独立行政法人 物質・材料研究機構

• 石井 真史

  物材機構

• 石井 真史

  Spring-8高輝度光科学研究センター

• 石井 真史

  高輝度光科学研究センター:理化学研究所播磨研究所

• 石井 真史

  Spring-8 Jasri

• 石井 真史

  (財)高輝度光化学研究センター放射光研究所

関連論文

• 固体最表面の誘電特性の測定
• Au/Y_2O_3界面の低温化学反応の誘電緩和による解析
• 二段階プロセスで成膜したイットリア薄膜の結晶性とフッ素系ハロゲンプラズマ耐性
• 24pWG-3 鏡面X線反射強度曲線の時分割測定の開発(X線・粒子線(X線回折・核共鳴分光),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aTC-5 X線鏡面反射強度曲線の時分割測定を目指した新しい測定法の開発(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
• 2008年X線分析関連文献総合報告
• 2007年X線分析関連文献総合報告
• 埋め込み量子ドット界面のサイト選択的 X 線吸収測定(半導体・エレクトロニクス)
• パルスレ-ザ-堆積法による軟X線多層膜ミラ-の作製
• 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
• 日本原子力研究所関西研究所光量子科学研究センター
• 19pYA-3 アンジュレータの特徴を生かしたXAFSの研究
• 23aYH-4 多素子SSDを用いた微量元素の蛍光X線ホログラフィー
• 静電容量・静電気力による局在電子サイトの選択X線分析
• SCM-XAFS法による半導体表面顕微分光
• キャパシタンス XAFS 法 局在電子を利用した自己サイト選択
• 走査型静電容量顕微鏡の原理と応用
• MIS構造
• 空乏層
• DXセンター
• キャパシタンスXAFS法 -結晶欠陥・表面・界面の選択的構造解析-
• 有機金属分解法によって作製したY_2O_3薄膜のX線反射率測定
• 誘電緩和を用いた高分子表面の動力学分析
• 希土類添加半導体の電荷伝搬・発光過程の光励起誘電緩和法による分析
• 希土類添加半導体の発光における電子と正孔の役割 (特集 光・量子ビームによるナノダイナミクス)
• 表面誘電緩和法の開発と市販ゴムシートの油劣化の非破壊評価への応用
• nc-Si:Erの電荷伝搬解析によるエネルギー伝達過程の検討
• TiO_2:Smの温度消光過程の電荷伝搬解析による検討
• イギリスでの研究生活 : 海外研究リピータになるまで
• 火を用いる1000℃以上の複素インピーダンススペクトロスコピー : 高温における物理・化学特性評価のための新手法
• 希土類添加半導体の発光における電子と正孔の役割
• 26pXE-8 サイズ選別EXAFS測定法によるセレン・クラスターの構造解析(26pXE 結晶・アモルファス・クラスター・液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))
• 27aWG-10 シリコンウエハー中のAsの蛍光X線ホログラフィー(27aWG X線・粒子線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• サイト選択X線吸収分光を使った光るSm添加物の局所歪の特定

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク