原子層エッチング (原子層制御から原子制御へ<特集>)
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概要
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Concept of atomic layer etching is described. Experimental results on the atomic layer con-trolled etching are reported. Under alternative supply of Cl2, the etching rate saturates at 1/3 mono-layer/cycle as a function of Cl gas feeding rate. By using Cl radical, the etching rate saturates at one atomic layer/cycle as a function of Cl gas feeding rate under a proper etching condition.
- 日本結晶学会の論文
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