目黒 多加志 | 理化学研究所
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概要
関連著者
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目黒 多加志
理化学研究所
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目黒 多加志
理研
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青柳 克信
理化学研究所
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岩井 荘八
理化学研究所
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石井 真史
物質・材料研究機構
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岩井 荘八
理研
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石井 真史
Spring-8高輝度光科学研究センター
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石井 真史
高輝度光科学研究センター:理化学研究所播磨研究所
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青柳 克信
理研
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青柳 克信
理研フロンティア
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
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小林 知洋
理化学研究所
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石井 真史
大阪大学基礎工学部
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片山 佑介
東京理科大学
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石井 真史
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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渡邊 亮基
東京理科大学
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趙 新為
東京理科大学
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小林 知洋
(独)理化学研究所
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鈴木 威
早稲田大学理工学部 応用化学科
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趙 新為
東京理科大
著作論文
- 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
- 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
- 自己組織化によってSi (110) 基板上に作製したErSi_2ナノワイヤーの構造解析
- GaAsデジタルエッチングの表面過程
- レーザー原子層エピタキシー
- 活性水素援用CVD方式によるGaAsの原子層エピタキシ-
- III-V族化合物半導体材料の表面精密加工技術 : 原始層エピタキシー
- 原子層制御エピタキシャル成長技術
- GaAs,AlGaAs,AlAsのレ-ザ-単原子層結晶成長と表面過程〔英文〕 (電子材料の課題と展望)
- 原子層エッチング (原子層制御から原子制御へ)
- レ-ザ-を用いた単原子層制御結晶成長 (レ-ザ-表面技術の新しい展開)
- 光を用いた半導体材料の結晶成長 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- レ-ザ-単原子層制御結晶成長の機構と応用
- GaAsのレーザー誘起原子層エピタキシィにおけるサーマルパルス同時照射効果
- レ-ザ-を用いた単原子層制御結晶成長 (レ-ザ-表面技術の新しい展開)
- 原子層エッチング (原子層制御から原子制御へ)