岩井 荘八 | 理研
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概要
関連著者
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岩井 荘八
理研
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岩井 荘八
理化学研究所
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梅野 正義
名大工
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青柳 克信
理研
-
青柳 克信
理化学研究所
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目黒 多加志
理研
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岩井 荘八
名大工
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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平山 秀樹
理化学研究所
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安藤 剛三
理研
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小舘 香椎子
日本女子大学理学研究科数理・物性構造科学専攻
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有住 徹弥
名大工
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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広瀬 秀男
島津製作所
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小舘 香椎子
日本女子大学 理学部数物科学科
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瀬川 勇三郎
理研
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目黒 多加志
理化学研究所
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青木 彪
名大工
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梅野 正義
名大、電子
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有佳 徹弥
名大工
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小舘 香椎子
日本女子大学
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平山 秀樹
理研
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原 民夫
理研
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大山 等
理研
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瀬川 勇三郎
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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岡川 広明
三菱電線工業株式会社
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田中 悟
理研半導体工学研究室
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難波 進
長崎総合科学大
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難波 進
理研
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瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス
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瀬川 勇三郎
東北大理:理研pdc
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瀬川 勇三郎
理研・フォトダイナミクス
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瀬川 勇三郎
理化学研究所
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三好 正毅
山口大院理工
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飯村 靖文
東京農工大
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宮下 啓二
三菱電線工業
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只友 一行
三菱電線工業
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福井 万寿夫
徳島大工
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野々山 信二
理研フロンティア
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小館 香椎子
日本女子大学
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有佳 徹弥
"名大、電子
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岩井 荘八
名大、電子
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青木 彪
名大、電子"
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有住 徹弥
名大エ電子
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梅野 正義
名大エ電子
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青木 彪
名大エ電子
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岩井 荘八
名大エ電子
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福井 万寿夫
名大・工
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有住 徹弥
名大、電子
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福井 万寿夫
名大、電子
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宇野 正
名大、電子
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山下 義昭
東洋大工
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宮澤 佳苗
日本女子大理
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長 恵子
日本女子大学理学部数物科学科
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江口 望
日本女子大理
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金城 康人
東京都立アイソトープ研
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宮澤 佳苗
日本女子大学理学部数物科学科
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小館 香椎子
日本女子大学理学部
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宇野 正
名大工
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難破 進
理研
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有住 徹弥
名大工 電子
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梅野 正義
名大工 電子
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岩井 荘八
名大工 電子
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野々山 信二
理研
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三好 正毅
山口大工短
著作論文
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
- レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 原子層制御エピタキシャル成長技術
- GaAs,AlGaAs,AlAsのレ-ザ-単原子層結晶成長と表面過程〔英文〕 (電子材料の課題と展望)
- Drifting Plasmaの強電場効果(II) : 半導体(不安定性)
- 半導体中のDappler効果III : 半導体 : マイクロ波
- 微小重力下での帯溶融法によるPbSnTe単結晶成長(無重力下における結晶成長)
- 14p-K-14 Ge中でのPhononのBuild-up,VI
- パルス列レーザーを用いた小型軟X線源の開発
- パルスレーザー堆積法による軟X線多層膜ミラーの設計と作製
- レーザープラズマX線を用いた結像型X線顕微鏡の開発
- レーザMOVPE法によるGaAsの単原子層制御成長(アトミックルールプロセス)
- レ-ザ-ALE法によるGaAsの単原子層成長 (固体表面の化学設計と機能)
- 7a-G-4 Geでのphononのbuild-up IV
- 半導体中でのphononのbuild up(II) : 半導体(不安定性)
- 半導体の強電場効果 : ドリフト速度の異常性 : 半導体 : 不安定性
- II-VI化合物の電子線励起レーザー (II) : イオン結晶・光物性
- II-VI化合物の電子線励起レーザー : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 半導体プラズマのDreft Doppler : 半導体 : 理論と不安定性
- 29p-Q-7 レート方程式によるGaAs,AlAs結晶成長の解析(29pQ 結晶成長)