レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
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概要
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Raman spectra were measured at 300K in thin layers grown by laser atomic layer epitaxy in order to characterize the layers of alloy semiconductors. Two Raman lines were observed in Ga_<1-x>Al_xAs layers. The molar fractions x of Al were determined from the frequency shift of Raman lines: x=0.20 for the laser-irradiated region and x=0.35 for the nonirradiated region.
- 理化学研究所の論文
著者
-
岩井 荘八
理化学研究所
-
難波 進
長崎総合科学大
-
瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス
-
瀬川 勇三郎
理研
-
三好 正毅
山口大院理工
-
飯村 靖文
東京農工大
-
岩井 荘八
理研
-
三好 正毅
山口大工短
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