30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-03-16
著者
-
落合 勇一
筑波大物質工
-
水野 雅博
筑波大物質工
-
蒲生 健次
阪大基礎工
-
難波 進
長崎総合科学大
-
難波 進
阪大基礎工
-
川辺 光央
筑波大物質工
-
石橋 幸治
理研フロンティア
-
青柳 克彦
理研フロンティア
関連論文
- 29p-ZC-6 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導II
- 27p-W-14 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導
- 26p-M-9 アモルファスSi:Nb多層膜の電気伝導
- 4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移
- 28p-G-4 金属非金属転移近傍のSiでの非線形電気伝導
- 12a-A-4 CH_3CSNH_2における^1H NMRの緩和時間
- 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
- 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
- 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
- 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
- 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
- 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
- 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
- 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
- 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni,Co,Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(II)
- Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGdのESR(2)
- 31p-PS-35 Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGd^のESR
- 5p-Y-14 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
- 4p-E4-10 Gd_xY_BaCuO系酸化物のESR
- CO_2 レーザー光検出用無給電スロットアンテナアレーの受信特性
- 30p-RB-9 金属非金属転移近傍の不均一な伝導体
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
- 24pYC-14 PEEMによる強磁性体ミクロ構造の軟X線磁気円二色性顕微分光
- 集束イオンビームを用いたナノ加工
- 低エネルギ-集束イオンビ-ム直接堆積によるシリコンおよびシリコン酸化膜の形成
- 5p-C-18 Si : SbにおけるVRH
- 28p-A-10 Si表面欠陥層の非オーム的電気伝導
- 1a-E-6 Si:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-KH-4 n-SiのM-NM転移近傍の表面に関連した電気伝導
- 14a-E-1 n-Siの低温電気伝導のlog-T依存性
- 4p-U-1 n-Siの線形尖鋭化したESR
- 3a-R-7 n-Siの転移濃度付近のESR
- 4p-KL-1 P,As,SbをdopeしたSiの不純物伝導
- 23p-G-3 AsをdopeしたSiの不純物伝導
- 4a-M-11 高濃度域n型SiESRの不純物効果
- 13p-H-6 高濃度域n型SiのESR線幅
- 1a-N-5 高濃度域n型SiのESR
- 7a-B-1 高濃度域n型SiのE.S.R.
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
- 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
- 30a-TB-1 Mnゼオライトの磁気的性質 III
- 6a-B1-11 Mnゼオライトの磁気的性質
- 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
- 17pPSA-11 微細加工反強磁性層を有するスピンバルブ膜の電流磁気効果
- 磁性多層膜細線における静磁気的相互作用の研究
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
- 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
- 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
- 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
- 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
- GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
- Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導特性
- 31p-TA-4 Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導異方性
- 6p-Y-11 GdBa_2Cu_3O_薄膜の低温電気伝導
- 5a-Z-6 GdBa_2Cu_3O_薄膜のラマン散乱
- 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
- 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
- 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 31p-PS-54 GdBa_2Cu_3O_yのNeel温度付近の電気伝導(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31a-SC-10 GaAs細線の低温磁気抵抗(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
- 29p-F-5 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^のESR(29p F 磁気共鳴)
- 31p-PS-56 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^イオンの相互作用(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 30p-LB-7 転移近傍の非金属型Siにおける低温磁気抵抗(低温)
- 3p-D1-3 Si表面処理による格子欠陥と低温電気伝導(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
- 30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
- 30a-CQ-2 Si : Sbの磁場中低温電気伝導(低温)
- 31a-H-2 Si:Sbの金属非金属転移近傍の電気伝導とホール係数(31aH 半導体(輸送現象))
- 31a-B1-2 半導体表面処理の低温電気伝導への影響(31a B1 低温)