30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1986-03-29

著者

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• 吉崎 亮造

  筑波大物理工

• 松浦 悦之

  筑波大物理

関連論文

• 29p-ZC-6 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導II
• 27p-W-14 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導
• 26p-M-9 アモルファスSi:Nb多層膜の電気伝導
• 4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移
• 28p-G-4 金属非金属転移近傍のSiでの非線形電気伝導
• 12a-A-4 CH_3CSNH_2における^1H NMRの緩和時間
• 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
• 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
• 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
• 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
• 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
• 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
• 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
• 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
• 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
• 14p-E-6 交流磁化率法による酸化物超伝導体の磁束量子の運動観測
• 25p-Q-7 高温超伝導体中の磁束量子のエネルギー損失
• 4p-F-7 (NbSe_4)_3Iの低温X線構造解析
• 4p-F-6 (MSe_4)_nIのラマン散乱と交流電気伝導
• 3a-L-9 擬一次元金属相NbS_3の超伝導
• 5a-A-7 (MSe_4)_xIの赤外反射スペクトル
• 5a-A-6 (TaSe_4)_2I,(NbSe_4)_3Iのラマン散乱
• 2p-KH-12 (NbSe_4)_3Iのラマン散乱
• 2p-KH-11 (NbSe_4)_3Iの構造相転移
• 13p-PS-18 I_NbSe_4およびI_TaSe_4の電気伝導
• 13p-PS-17 NbS_の超伝導
• 30p-M-8 HfTe_5抵抗異常 [IV]
• 30p-M-7 NbS_3の抵抗異常
• 30p-B-4 HfTe_5の抵抗異常 [III]
• 31p-E-17 HfTe_5の抵抗異常[II]
• 2p-NL-11 HfTe_5の抵抗異常
• 2p-W-33 HfTe_5の電気伝導
• 3a-A-13 遷移金属ダイカルコゲナイドの共鳴ラマン散乱
• 30p-E-6 MoSe_2, WSe_2の共鳴ラマン散乱
• 28a-D-10 NbS_3のラマン散乱
• 2p-B-10 遷移金属カルコゲナイドのラマン散乱(II)
• 2p GE-12 遷移金属カルコゲナイドのラマン散乱
• 5p-LT-12 WSe_2のラマン散乱
• 5p-DR-4 2H-MoSe_2のラマン散乱と赤外スペクトル
• 4p-F-5 Me_3S・TCNQ・(I_3)_の電気伝導
• 4a-F-3 NbS_x(X≃3)の超伝導転移と帯磁率
• 4a-F-1 HfTe_5の低温X線回折
• GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni,Co,Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(II)
• Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGdのESR(2)
• 31p-PS-35 Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGd^のESR
• 5p-Y-14 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
• 4p-E4-10 Gd_xY_BaCuO系酸化物のESR
• 2p-A-16 カリウム黒鉛層間化合物における帯磁率のステージ依存性
• 26aPS-7 ボロンドープしたグラファイトのSTM観測
• 28p-PS-10 LSCO系酸化物超伝導体の酸素欠損と帯磁率
• 5p-PS-23 Bi-Pb-Ca-Sr-Cu-O系超伝導体の物性測定
• 30p-RB-9 金属非金属転移近傍の不均一な伝導体
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 7p-W-5 CdS_Se_x混晶の発光スペクトル
• 27a-A-18 (MSe_4)_nIの比熱と帯磁率
• 5p-C-18 Si : SbにおけるVRH
• 28p-A-10 Si表面欠陥層の非オーム的電気伝導
• 1a-E-6 Si:Sbの低温磁気抵抗
• 1p-KH-4 n-SiのM-NM転移近傍の表面に関連した電気伝導
• 14a-E-1 n-Siの低温電気伝導のlog-T依存性
• 4p-U-1 n-Siの線形尖鋭化したESR
• 3a-R-7 n-Siの転移濃度付近のESR
• 4p-KL-1 P,As,SbをdopeしたSiの不純物伝導
• 23p-G-3 AsをdopeしたSiの不純物伝導
• 4a-M-11 高濃度域n型SiESRの不純物効果
• 13p-H-6 高濃度域n型SiのESR線幅
• 1a-N-5 高濃度域n型SiのESR
• 7a-B-1 高濃度域n型SiのE.S.R.
• 4p-F-3 Mo_2S_3のラマン散乱
• 28a-QE-17 Fe_xNbSe_2のメスバウァー効果
• 1p-F-5 CuV_2S_4の相転移IV
• 2a-TC-2 GaP回折格子表面の表面フォノンポラリトンによる赤外反射とラマン散乱
• 30a-SC-3 SbSBrの格子力学
• 30a-TB-1 Mnゼオライトの磁気的性質 III
• 6a-B1-11 Mnゼオライトの磁気的性質
• 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
• 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
• 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
• 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
• 29p-L-5 酸素制御した単結晶Bi_2Sr_La_xCuO_の面間電気抵抗率
• 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
• GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
• Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導特性
• 31p-TA-4 Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導異方性
• 6p-Y-11 GdBa_2Cu_3O_薄膜の低温電気伝導
• 5a-Z-6 GdBa_2Cu_3O_薄膜のラマン散乱
• 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
• 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
• 30a-LE-3 NbSx(x〓3)のEXAFS(半導体)
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 31p-PS-54 GdBa_2Cu_3O_yのNeel温度付近の電気伝導(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 31a-SC-10 GaAs細線の低温磁気抵抗(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
• 29p-F-5 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^のESR(29p F 磁気共鳴)
• 31p-PS-56 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^イオンの相互作用(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 30p-LB-7 転移近傍の非金属型Siにおける低温磁気抵抗(低温)
• 3p-D1-3 Si表面処理による格子欠陥と低温電気伝導(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 30a-CQ-2 Si : Sbの磁場中低温電気伝導(低温)
• 31a-H-2 Si:Sbの金属非金属転移近傍の電気伝導とホール係数(31aH 半導体(輸送現象))
• 31a-B1-2 半導体表面処理の低温電気伝導への影響(31a B1 低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク