5p-Y-14 GdBa_2(Cu_<1-x>M_x)_3O_<7-y>(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
落合 勇一
千葉大自然
-
落合 勇一
筑波大物質工
-
中村 文彦
広大・理
-
小黒 勇
東大物性研
-
新井 重一郎
東理大理工
-
楢原 良正
筑波大物理
-
清水 大
東理大理工
-
楢原 良正
筑波大 物理
-
中村 文彦
筑波大物理
-
帰山 忠士
東理大理工
-
三田 優
東理大理工
-
清水 大
山口東理大・基礎工
-
中村 文彦
広島大学
-
帰山 忠士
東理大 理工
-
歸山 忠士
東理大 理工
関連論文
- 21aGS-12 グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29p-ZC-6 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導II
- 27p-W-14 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導
- 26p-M-9 アモルファスSi:Nb多層膜の電気伝導
- 4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移
- 28p-G-4 金属非金属転移近傍のSiでの非線形電気伝導
- 12a-A-4 CH_3CSNH_2における^1H NMRの緩和時間
- 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
- 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
- 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
- 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
- 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
- 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
- 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
- 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
- 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
- 28p-PSA-8 TSFZ法によるLa_Sr_xCuO_4の単結晶育成とその結晶性
- 30a-P-7 La_Nd_ySr_xCuO_4(y=0.2,0.4)のESR
- 28p-APS-55 酸化物超伝導体YBCOにおける希釈GdのESRの研究
- 25a-PS-35 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni, Co, Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(III)
- 磁性イオン入ゼオライトの磁性
- GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni,Co,Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(II)
- Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGdのESR(2)
- 2a-TC-6 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y (M=Ni, Co, Zn)における、GdのNeel温度近傍の比熱
- 31p-PS-35 Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGd^のESR
- 5p-Y-14 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
- 3p-Y-14 GdBa2Cu3OyのCu置換によるGd ESRスペクトル
- 5p-PS-15 GdBa_2Cu_3O_の双極子相互作用
- 4p-E4-10 Gd_xY_BaCuO系酸化物のESR
- 28p-PS-14 Y_xGd_Ba_2Cu_3O_yにおけるT_cの磁場依存性
- 27p-PS-58 Y-Gd-Ba-Cu-O系における磁化特性
- 27p-PS-49 Y_xGd_Ba_2cu_3O_yの磁場効果
- 30p-RB-9 金属非金属転移近傍の不均一な伝導体
- Subcolor Strings
- 複合性と超弦模型的特徴(TeV領域のPhysics (standard modelを超えて),研究会報告)
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 5p-C-18 Si : SbにおけるVRH
- 28p-A-10 Si表面欠陥層の非オーム的電気伝導
- 1a-E-6 Si:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-KH-4 n-SiのM-NM転移近傍の表面に関連した電気伝導
- 14a-E-1 n-Siの低温電気伝導のlog-T依存性
- 4p-U-1 n-Siの線形尖鋭化したESR
- 3a-R-7 n-Siの転移濃度付近のESR
- 4p-KL-1 P,As,SbをdopeしたSiの不純物伝導
- 23p-G-3 AsをdopeしたSiの不純物伝導
- 4a-M-11 高濃度域n型SiESRの不純物効果
- 13p-H-6 高濃度域n型SiのESR線幅
- 1a-N-5 高濃度域n型SiのESR
- 7a-B-1 高濃度域n型SiのE.S.R.
- 30a-TB-1 Mnゼオライトの磁気的性質 III
- 6a-Z-8 Mnゼオライトの磁気的性質 II
- 6a-B1-11 Mnゼオライトの磁気的性質
- 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
- 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
- 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
- 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
- 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
- GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
- 8a-X-6 Nb/Ge多層膜における局在効果と超伝導特性II
- Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導特性
- 31p-TA-4 Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導異方性
- 6p-Y-11 GdBa_2Cu_3O_薄膜の低温電気伝導
- 5a-Z-6 GdBa_2Cu_3O_薄膜のラマン散乱
- 30pXC-4 Pbナノワイヤーの超伝導特性(30pXC 微小超伝導体・金属量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-81 陽極酸化アルミナ細孔を用いたPbナノワイアの作製と評価(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-13 メンブレンテンプレートを用いたPbナノワイアの作製と評価II(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13aYC-9 メンブレンテンプレートを用いた Pb ナノワイアの作製と評価(微小超伝導・微小ジョセフソン接合, 領域 4)
- 25aHD-12 半導体量子細線における磁場依存性と解析(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTJ-5 垂直配向型フラーレンウィスカーの成長分析および電気特性(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTJ-2 フラーレンナノウィスカーUV重合体のESRによる評価(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aHD-2 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTB-2 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTD-10 フラーレンナノウィスカーの電子物性と結晶成長条件(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTG-9 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
- 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
- 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 31p-PS-54 GdBa_2Cu_3O_yのNeel温度付近の電気伝導(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31a-SC-10 GaAs細線の低温磁気抵抗(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
- 29p-F-5 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^のESR(29p F 磁気共鳴)
- 31p-PS-56 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^イオンの相互作用(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 30p-LB-7 転移近傍の非金属型Siにおける低温磁気抵抗(低温)
- 3p-D1-3 Si表面処理による格子欠陥と低温電気伝導(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
- 30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
- 30a-CQ-2 Si : Sbの磁場中低温電気伝導(低温)
- 31a-H-2 Si:Sbの金属非金属転移近傍の電気伝導とホール係数(31aH 半導体(輸送現象))
- 31a-B1-2 半導体表面処理の低温電気伝導への影響(31a B1 低温)