7a-B-1 高濃度域n型SiのE.S.R.

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1971-04-06

著者

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• 松浦 悦之

  読売理工学院

• 松浦 悦之

  東教大理

• 落合 勇一

  東教大理

• 長島 弘幸

  東教大理

• 長島 弘幸

  教育大理

関連論文

• 29p-ZC-6 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導II
• 27p-W-14 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導
• 26p-M-9 アモルファスSi:Nb多層膜の電気伝導
• 4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移
• 28p-G-4 金属非金属転移近傍のSiでの非線形電気伝導
• 12a-A-4 CH_3CSNH_2における^1H NMRの緩和時間
• 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
• 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
• 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
• 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
• 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
• 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
• 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
• 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
• 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
• GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni,Co,Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(II)
• Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGdのESR(2)
• 31p-PS-35 Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGd^のESR
• 5p-Y-14 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
• 4p-E4-10 Gd_xY_BaCuO系酸化物のESR
• 30p-RB-9 金属非金属転移近傍の不均一な伝導体
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 3a-H-12 高濃度域N型SiのESR線型
• 5p-C-18 Si : SbにおけるVRH
• 28p-A-10 Si表面欠陥層の非オーム的電気伝導
• 1a-E-6 Si:Sbの低温磁気抵抗
• 1p-KH-4 n-SiのM-NM転移近傍の表面に関連した電気伝導
• 14a-E-1 n-Siの低温電気伝導のlog-T依存性
• 4p-U-1 n-Siの線形尖鋭化したESR
• 3a-R-7 n-Siの転移濃度付近のESR
• 4p-KL-1 P,As,SbをdopeしたSiの不純物伝導
• 23p-G-3 AsをdopeしたSiの不純物伝導
• 4a-M-11 高濃度域n型SiESRの不純物効果
• 13p-H-6 高濃度域n型SiのESR線幅
• 1a-N-5 高濃度域n型SiのESR
• 7a-B-1 高濃度域n型SiのE.S.R.
• 4a-M-7 燐をドープしたSiのESR緩和時間
• 30a-TB-1 Mnゼオライトの磁気的性質 III
• 6a-B1-11 Mnゼオライトの磁気的性質
• 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
• 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
• 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
• 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
• 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
• GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
• Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導特性
• 31p-TA-4 Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導異方性
• 6p-Y-11 GdBa_2Cu_3O_薄膜の低温電気伝導
• 5a-Z-6 GdBa_2Cu_3O_薄膜のラマン散乱
• G.E.Pake and T.L.Estle : The Physical Principles of Electron Paramagnetic Resonance, 2nd ed., W.A. Benjamin, Massachusetts and London, 1973, 306ページ, 24×17cm, 7,210円
• 13a-W-1 燐をドープしたシリコンのスピン緩和機構
• 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
• 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
• 4a-P-9 SrTiO_3の二次ラマン散乱II
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 31p-PS-54 GdBa_2Cu_3O_yのNeel温度付近の電気伝導(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 31a-SC-10 GaAs細線の低温磁気抵抗(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
• 29p-F-5 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^のESR(29p F 磁気共鳴)
• 31p-PS-56 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^イオンの相互作用(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 30p-LB-7 転移近傍の非金属型Siにおける低温磁気抵抗(低温)
• 3p-D1-3 Si表面処理による格子欠陥と低温電気伝導(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 30a-CQ-2 Si : Sbの磁場中低温電気伝導(低温)
• 31a-H-2 Si:Sbの金属非金属転移近傍の電気伝導とホール係数(31aH 半導体(輸送現象))
• 31a-B1-2 半導体表面処理の低温電気伝導への影響(31a B1 低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク