6p-Y-11 GdBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の低温電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
落合 勇一
筑波大物質工
-
落合 勇一
筑波大 物質工
-
坂東 尚周
京大化研
-
妹尾 浩司
筑波大 物理
-
楢原 良正
筑波大 物理
-
妹尾 浩司
筑波大物理
-
中村 文彦
筑波大 物理
-
田村 俊之
筑波大 物理
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
-
飯島 賢二
生産開発科学研
-
平田 和人
生産開発科学研
-
飯島 賢二
京大化研
-
寺嶋 孝仁
生産開発科学研究所
-
山本 和貴
生産開発科学研究所
関連論文
- 29p-ZC-6 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導II
- 27p-W-14 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導
- 26p-M-9 アモルファスSi:Nb多層膜の電気伝導
- 4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移
- 28p-G-4 金属非金属転移近傍のSiでの非線形電気伝導
- 12a-A-4 CH_3CSNH_2における^1H NMRの緩和時間
- 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
- 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
- 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
- 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
- 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
- 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
- 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
- 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
- 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
- 12p-PSB-29 酸化物超伝導体の磁気トルク
- 31p-Z-1 YBa_2Cu_3O_における準粒子の再結合寿命
- 31a-M-3 Bi_2Sr_2CaCu_2O_の渦糸状態におけるホール効果
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_の渦糸状態におけるホール効果
- 28p-L-9 YBa_2Cu_3O_薄膜の混合状態におけるホール効果II
- 25a-PS-35 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni, Co, Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(III)
- GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni,Co,Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(II)
- Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGdのESR(2)
- 31p-PS-35 Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGd^のESR
- 5p-Y-14 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
- 4p-E4-10 Gd_xY_BaCuO系酸化物のESR
- SrRuO_3/SrTiO_3人工格子の磁性と電気伝導性
- 30p-RB-9 金属非金属転移近傍の不均一な伝導体
- 4a-N-12 V_8O_の電気的性質
- 15a-A-1 バナジウムとチタニウムのマグネリ相単結晶の電気的性質
- 8p-H-5 非化学量論理酸化チタニウム単結晶の成長
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 29a-Q-9 YBCO/PBCO超格子薄膜の熱電流磁気効果
- 1a-W-4 YBCO/PBCO超格子薄膜の磁場下超伝導転移
- 6p-PS-26 酸化物超伝導体単結晶薄膜(V)
- 5p-P-5 半導体人工格子PbSe/SnSeの圧力誘起構造相転移II
- 24a-K-3 La_Bi_xCuO_の超伝導特性
- Bi-2212相へのPbとLiドープ
- 電極反応によるBi-2212相へのLiドープ
- NdO_-SrO-CuO系の平衡状態図
- 31p-PS-72 La_2NiO_とLa_2CuO_の電気的磁気的性質
- 31a-M-8 Pb置換Bi2212単結晶における磁化特性の改善と微細構造(2)
- 31a-M-7 Pb置換Bi2212単結晶における磁化特性の改善と微細構造(1)
- 28a-PS-55 SrRuO_3を含む人工格子の磁気的性質
- SrRuO_3を含む人工格子の磁気的性質
- 31p-K-7 反応性蒸着法で作成したSrRuO_3薄膜の磁性と電気伝導性
- 4a-YA-1 SrRuO_3薄膜の磁性
- ε′-Fe2.2C超微粒子の合成とその磁気特性-2-
- ε′-Fe2.2C超微粒子の合成とその磁気特性-1-
- 14p-F-6 Fe(OH)_2のMossbauer効果
- Co(OH)_2の磁性 : 磁性 : 酸化物,化合物
- 29p-PS-36 YBa_2Cu_3O_の固体化学的研究
- 2p-PS-39 SrFeO_中のFeの電子状態
- 5p-C-18 Si : SbにおけるVRH
- 28p-A-10 Si表面欠陥層の非オーム的電気伝導
- 1a-E-6 Si:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-KH-4 n-SiのM-NM転移近傍の表面に関連した電気伝導
- 14a-E-1 n-Siの低温電気伝導のlog-T依存性
- 4p-U-1 n-Siの線形尖鋭化したESR
- 3a-R-7 n-Siの転移濃度付近のESR
- 4p-KL-1 P,As,SbをdopeしたSiの不純物伝導
- 23p-G-3 AsをdopeしたSiの不純物伝導
- 4a-M-11 高濃度域n型SiESRの不純物効果
- 13p-H-6 高濃度域n型SiのESR線幅
- 1a-N-5 高濃度域n型SiのESR
- 7a-B-1 高濃度域n型SiのE.S.R.
- 定比カチオンBi_2Sr_2CuO_δの常圧下での合成と変調構造
- 312 BiO_-SrO(SrCO_3)-CuO 系における相平衡
- 26p-PSA-45 高温超伝導薄膜よりの低周波雑音
- 9a-D-8 α-Fe_2O_3の微粒子の形態と磁性
- 4p-YE-11 YBa_2Cu_3O_超薄膜の混合状態におけるホール効果
- 31p-LC-14 同時蒸着Fe-Sb薄膜
- 30a-TB-1 Mnゼオライトの磁気的性質 III
- 6a-Z-8 Mnゼオライトの磁気的性質 II
- 6a-B1-11 Mnゼオライトの磁気的性質
- 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
- 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
- 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
- 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
- 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
- GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
- 25a-PS-36 GdBa_2CuO_3O_yの電気伝導特性
- Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導特性
- 31p-TA-4 Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導異方性
- 6p-Y-11 GdBa_2Cu_3O_薄膜の低温電気伝導
- 5a-Z-6 GdBa_2Cu_3O_薄膜のラマン散乱
- 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
- 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
- 1p-PS-44 強磁場低温下での希土類酸化物超伝導体の磁気特性(低温(酸化物超伝導体))
- 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 31p-PS-54 GdBa_2Cu_3O_yのNeel温度付近の電気伝導(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31a-SC-10 GaAs細線の低温磁気抵抗(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
- 29p-F-5 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^のESR(29p F 磁気共鳴)
- 31p-PS-56 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^イオンの相互作用(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 30p-LB-7 転移近傍の非金属型Siにおける低温磁気抵抗(低温)
- 3p-D1-3 Si表面処理による格子欠陥と低温電気伝導(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
- 30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
- 30a-CQ-2 Si : Sbの磁場中低温電気伝導(低温)
- 31a-H-2 Si:Sbの金属非金属転移近傍の電気伝導とホール係数(31aH 半導体(輸送現象))
- 31a-B1-2 半導体表面処理の低温電気伝導への影響(31a B1 低温)