4p-E4-10 Gd_xY_<1-x>BaCuO系酸化物のESR

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1988-09-16

著者

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• 中村 文彦

  広大・理

• 楢原 良正

  筑波大物理

• 楢原 良正

  筑波大 物理

• 中村 文彦

  筑波大物理

• 富永 昭

  筑波大物理

• 中村 文彦

  広島大学

関連論文

• 29p-ZC-6 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導II
• 27p-W-14 アモルファスSi:Nb超格子の電気伝導
• 26p-M-9 アモルファスSi:Nb多層膜の電気伝導
• 4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移
• 28p-G-4 金属非金属転移近傍のSiでの非線形電気伝導
• 12a-A-4 CH_3CSNH_2における^1H NMRの緩和時間
• 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
• 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
• 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
• 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
• 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
• 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
• 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
• 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
• 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
• 1p-B-3 白金パルスNMR温度計の製作
• 1a-RM-3 超低温に至る新しい抵抗測温素子IIb
• 28p-PSA-8 TSFZ法によるLa_Sr_xCuO_4の単結晶育成とその結晶性
• 30a-P-7 La_Nd_ySr_xCuO_4(y=0.2,0.4)のESR
• 28p-APS-55 酸化物超伝導体YBCOにおける希釈GdのESRの研究
• 25a-PS-35 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni, Co, Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(III)
• 磁性イオン入ゼオライトの磁性
• GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni,Co,Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(II)
• Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGdのESR(2)
• 2a-TC-6 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y (M=Ni, Co, Zn)における、GdのNeel温度近傍の比熱
• 31p-PS-35 Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGd^のESR
• 5p-Y-14 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
• 3p-Y-14 GdBa2Cu3OyのCu置換によるGd ESRスペクトル
• 5p-PS-15 GdBa_2Cu_3O_の双極子相互作用
• 4p-E4-10 Gd_xY_BaCuO系酸化物のESR
• 28p-PS-14 Y_xGd_Ba_2Cu_3O_yにおけるT_cの磁場依存性
• 27p-PS-58 Y-Gd-Ba-Cu-O系における磁化特性
• 27p-PS-49 Y_xGd_Ba_2cu_3O_yの磁場効果
• 30p-RB-9 金属非金属転移近傍の不均一な伝導体
• Subcolor Strings
• 複合性と超弦模型的特徴(TeV領域のPhysics (standard modelを超えて),研究会報告)
• High weak isospin heavy leptons and compositeness(クォーク・レプトンの構造,研究会報告)
• Generations in SU(2)×U(1) supersymmetric subcomponent model (「Quark-Leptonの構造」研究会報告)
• 4. The sub-component symmetry between hadrons and leptons
• ハドロンの一次元構造に基づいた大P_T領域での散乱(長期研究計画,構成子の組み替え模型と素粒子反応,研究会報告)
• 構成子模型による中間子多重発生の粒子構成と多重度について(高エネルギーにおける多重発生,研究会報告)
• 3p-FC-8 12GeV 陽子ビームによる超伝導マグネットのクエンチ
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 5p-C-18 Si : SbにおけるVRH
• 28p-A-10 Si表面欠陥層の非オーム的電気伝導
• 1a-E-6 Si:Sbの低温磁気抵抗
• 1p-KH-4 n-SiのM-NM転移近傍の表面に関連した電気伝導
• 14a-E-1 n-Siの低温電気伝導のlog-T依存性
• 4p-U-1 n-Siの線形尖鋭化したESR
• 3a-R-7 n-Siの転移濃度付近のESR
• 4p-KL-1 P,As,SbをdopeしたSiの不純物伝導
• 23p-G-3 AsをdopeしたSiの不純物伝導
• 4a-M-11 高濃度域n型SiESRの不純物効果
• 13p-H-6 高濃度域n型SiのESR線幅
• 1a-N-5 高濃度域n型SiのESR
• 7a-B-1 高濃度域n型SiのE.S.R.
• 24a-J-13 Fibonacci格子中を伝播する第3音波の透過係数(実験)
• Mnゼオライトの磁気的性質IV
• 31a-KB-9 温度勾配によって誘起された高次の音響振動
• 3p-W-3 温度勾配による管内音波の発生
• 29p-H-2 急激な温度勾配によって誘起された管内の音響振動
• 1a-BC-1 熱振動 : I
• 31a-BC-2 低温におけるダイオードの特性(II)
• 7a-C-2 低温におけるダイオードの特性
• ^4Heの光散乱(「ヘリウムの物性-光散乱を中心に-」,物性研究所短期研究会報告)
• 23p-T-4 光散乱によるヘリウムの臨界現象 III
• 10a-Y-9 光散乱によるヘリウムの臨界現象II
• 5a-V-7 光散乱による^4Heの臨界現象
• 30a-TB-1 Mnゼオライトの磁気的性質 III
• 6a-B1-11 Mnゼオライトの磁気的性質
• 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
• 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
• 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
• 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
• 28a-QD-8 断熱消磁物質としてのマンガンゼオライトの性質
• 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
• GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
• 2a-RC-5 12GeV 陽子ビームによる超伝導材料の Spallation Reaction
• 5a-AB-2 熱振動II
• Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導特性
• 31p-TA-4 Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導異方性
• 6p-Y-11 GdBa_2Cu_3O_薄膜の低温電気伝導
• 5a-Z-6 GdBa_2Cu_3O_薄膜のラマン散乱
• 27a-W-2 第3音波のアンダーソン局在I
• 第3音波パルス波形のフーリエ解析
• 2a-D-5 Hadronの準二体散乱とdip-bump構造
• 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
• 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
• 4a-R-3 Regge-Regge cutを含むDualityとLine reversal
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 31p-PS-54 GdBa_2Cu_3O_yのNeel温度付近の電気伝導(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 31a-SC-10 GaAs細線の低温磁気抵抗(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
• 29p-F-5 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^のESR(29p F 磁気共鳴)
• 31p-PS-56 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^イオンの相互作用(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 30p-LB-7 転移近傍の非金属型Siにおける低温磁気抵抗(低温)
• 3p-D1-3 Si表面処理による格子欠陥と低温電気伝導(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 30a-CQ-2 Si : Sbの磁場中低温電気伝導(低温)
• 31a-H-2 Si:Sbの金属非金属転移近傍の電気伝導とホール係数(31aH 半導体(輸送現象))
• 31a-B1-2 半導体表面処理の低温電気伝導への影響(31a B1 低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク