27a-W-2 第3音波のアンダーソン局在I
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
-
楢原 良正
筑波大物理
-
大塚 洋一
東大低温センター
-
楢原 良正
筑波大 物理
-
仲田 悟基
筑波大物理
-
仲田 悟基
筑波大 物理
-
河野 公俊
東大物性研
-
河野 公俊
筑波大物理
-
大塚 洋一
東大低温セ
関連論文
- 1p-B-3 白金パルスNMR温度計の製作
- ボルダ振り子実験へのマイコンの試験的な使用について
- C215 学生実験における測定へのマイコンの試験的な使用について : マイコンと光センサーによるボルダ振り子の周期測定
- 1a-RM-3 超低温に至る新しい抵抗測温素子IIb
- 28p-APS-55 酸化物超伝導体YBCOにおける希釈GdのESRの研究
- 25a-PS-35 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni, Co, Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(III)
- 磁性イオン入ゼオライトの磁性
- GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y(M=Ni,Co,Fe)における、GdのNeel温度近傍の比熱(II)
- Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGdのESR(2)
- 2a-TC-6 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_y (M=Ni, Co, Zn)における、GdのNeel温度近傍の比熱
- 31p-PS-35 Cuサイト置換されたGdBa_2Cu_3O_yのGd^のESR
- 5p-Y-14 GdBa_2(Cu_M_x)_3O_(M=)Fe, Co, Ni)の磁性と超伝導特性II
- 3p-Y-14 GdBa2Cu3OyのCu置換によるGd ESRスペクトル
- 4p-E4-10 Gd_xY_BaCuO系酸化物のESR
- 27p-PS-58 Y-Gd-Ba-Cu-O系における磁化特性
- 28p-YG-3 常伝導細線の輸送現象における超伝導近接効果
- 27a-W-4 Si:Pの高磁場における磁化
- 硝酸黒鉛層間化合物の静帯磁率(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
- 6a-C-6 HNO_3-GICの帯磁率
- 6p-B1-3 不純物半導体の静帯磁率
- 28a-Q-4 Si:Pの静帯磁率
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- 3p-FC-8 12GeV 陽子ビームによる超伝導マグネットのクエンチ
- 30p-Q-10 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導 III
- 微細加工した微粒子膜の電気伝導
- 超伝導微粒子膜における超伝導-絶縁体転移
- 1a-B-10 Al微粒子のESRとNMR
- 24a-J-13 Fibonacci格子中を伝播する第3音波の透過係数(実験)
- Mnゼオライトの磁気的性質IV
- 31a-KB-9 温度勾配によって誘起された高次の音響振動
- 3p-W-3 温度勾配による管内音波の発生
- 29p-H-2 急激な温度勾配によって誘起された管内の音響振動
- 1a-BC-1 熱振動 : I
- 31a-BC-2 低温におけるダイオードの特性(II)
- 7a-C-2 低温におけるダイオードの特性
- ^4Heの光散乱(「ヘリウムの物性-光散乱を中心に-」,物性研究所短期研究会報告)
- 23p-T-4 光散乱によるヘリウムの臨界現象 III
- 10a-Y-9 光散乱によるヘリウムの臨界現象II
- 5a-V-7 光散乱による^4Heの臨界現象
- 31p-BJ-11 極低温に於る高濃度 Ge:Sb の電気伝導
- 8a-B-3 極低温に於る不純物伝導-II-
- 3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
- 30a-TB-1 Mnゼオライトの磁気的性質 III
- 27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
- 28a-QD-8 断熱消磁物質としてのマンガンゼオライトの性質
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
- 2a-B-15 Siの不純物伝導に於る表面処理の効果
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 2a-RC-5 12GeV 陽子ビームによる超伝導材料の Spallation Reaction
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 27p-YG-5 単一電子トランジスターを用いた走査型電荷計の開発
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 5a-AB-2 熱振動II
- Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導特性
- 31p-TA-4 Neel温度近傍でのGdBa_2Cu_3O_y薄膜の電気伝導異方性
- 5a-Z-6 GdBa_2Cu_3O_薄膜のラマン散乱
- 27a-W-2 第3音波のアンダーソン局在I
- 第3音波パルス波形のフーリエ解析
- 不均一基板上での第三音波の透過スペクトルI
- 30a-KB-2 電気回路による相互作用のある戸田格子の実験
- 27a-N-9 電気回路によるEnvelope Soliton
- 3p-YE-13 金属微粒子を挟んだトンネル分光 1I
- N/S/N接合をもった微小ループの磁気抵抗 II
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 1a KH-12 極低温の不純物伝導
- 31p GD-3 極低温におけるSi:Pの磁気抵抗効果
- 3p-DS-10 極低温に於けるGe:Sbの磁気抵抗効果
- 7a-C-1 低温における乱れた糸
- 4p-U-3 極低温における不純物伝導
- 2a-NN-3 非線形伝送線における変調不安定性
- 量子ホール効果状態の臨界電流
- 30p-N-12 量子ホール効果状態の電流分布
- 3p-YE-14 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導
- 1a-L4-3 Si:Pの静帯磁率(二)(低温(金属非金属転移))
- 31p-PS-54 GdBa_2Cu_3O_yのNeel温度付近の電気伝導(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 29p-F-5 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^のESR(29p F 磁気共鳴)
- 31p-PS-56 GdBa_2Cu_3O_y酸化物でのGd^イオンの相互作用(31p PS 低温(酸化物超伝導))