大塚 洋一 | 東大低温セ
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概要
関連著者
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大塚 洋一
東大低温セ
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大塚 洋一
東大低温センター
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島田 宏
東大低温セ
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島田 宏
電通大
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渡部 道生
東大低温セ
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渡部 道生
理化学研究所半導体工学研究室
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武藤 準一郎
慶大理工
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伊藤 公平
慶大理工
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小林 俊一
東大理
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松永 悟明
東大低温セ
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小林 俊一
理研
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楢原 良正
筑波大物理
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楢原 良正
筑波大 物理
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仲田 悟基
筑波大物理
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池畑 誠一郎
東大理
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仲田 悟基
筑波大 物理
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河野 公俊
東大物性研
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河野 公俊
筑波大物理
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大野 圭司
東京大学理学系研究科物理学 Crest-project(jst)
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清利 正弘
東大理
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得竹 陽一郎
東大低温セ
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西原 美一
電総研
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石井 裕司
東工大理工
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水島 茂喜
東大低温セ
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阪東 寛
電総研
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大木 秀一
筑波大物理:crest(jst)
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伊藤 新一郎
東大物性研
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後藤 貴行
東大理
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石井 裕司
東大低温センター
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大木 秀一
東大低温センター
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森 孝雄
東大理
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池畑 誠一郎
東大・理
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大野 圭司
東大理
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清利 正弘
東大・理
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斉田 繁彦
東大理
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小林 俊一
東大院理
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大野 圭司
東大低温セ
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伊藤 新一郎
筑波大物理
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内藤 正純
筑波大物理
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内藤 正純
筑波大 物理
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松田 亮史
東大低温セ、CREST(JST)
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大川 龍郎
東大低温セ、CREST(JST)
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松田 亮史
東大理:crest(jst)
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石井 裕司
東工大理
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鈴木 博
三洋筑波研
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井上 公
三洋筑波研
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山本 哲也
三洋筑波研
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高橋 和彦
三洋筑波研
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井上 公
三洋筑波研:新技団さきがけ研究21
著作論文
- 28p-YG-3 常伝導細線の輸送現象における超伝導近接効果
- 27a-W-4 Si:Pの高磁場における磁化
- 硝酸黒鉛層間化合物の静帯磁率(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
- 6a-C-6 HNO_3-GICの帯磁率
- 6p-B1-3 不純物半導体の静帯磁率
- 28a-Q-4 Si:Pの静帯磁率
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- 30p-Q-10 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導 III
- 微細加工した微粒子膜の電気伝導
- 24a-J-13 Fibonacci格子中を伝播する第3音波の透過係数(実験)
- 27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 27p-YG-5 単一電子トランジスターを用いた走査型電荷計の開発
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 27a-W-2 第3音波のアンダーソン局在I
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 3p-YH-1 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導II(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
- 27p-JF-4 金属微粒子,核断熱消磁による^3He希薄溶液の超流動探索(低温)
- 31a-SC-12 金属細線の電気伝導III(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
- 3a-YH-5 超伝導微粒子膜における超伝導 : 絶縁体転移II(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)
- 2p-YC-9 La_Sr_xTiO_3単結晶の超伝導(2pYC 低温(高温超伝導・非銅系),低温)