28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-03-17
著者
-
島田 宏
電通大
-
島田 宏
東大低温セ
-
大塚 洋一
東大低温センター
-
武藤 準一郎
慶大理工
-
伊藤 公平
慶大理工
-
渡部 道生
東大低温セ
-
渡部 道生
理化学研究所半導体工学研究室
-
大塚 洋一
東大低温セ
関連論文
- 20aRC-11 「コア・カリキュラム学習支援」システムの改善手法(20aRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 27aVE-6 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその改善(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 26aVE-7 危機・限界体験実験による大学院教育(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 28pYE-2 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその効果(28pYE 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 28p-YG-3 常伝導細線の輸送現象における超伝導近接効果
- 27a-W-4 Si:Pの高磁場における磁化
- 硝酸黒鉛層間化合物の静帯磁率(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
- 6a-C-6 HNO_3-GICの帯磁率
- 6p-B1-3 不純物半導体の静帯磁率
- 28a-Q-4 Si:Pの静帯磁率
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- 30p-Q-10 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導 III
- 強磁性微小トンネル接合列の電気伝導II
- 微細加工した微粒子膜の電気伝導
- 超伝導微粒子膜における超伝導-絶縁体転移
- Ni-NiO-Ni及びNi-NiO-Fe微小トンネル接合の電気伝導
- 1a-B-10 Al微粒子のESRとNMR
- 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
- 24pQK-8 コア・カリキュラム学習支援システムのハンドブック化(24pQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 24a-J-13 Fibonacci格子中を伝播する第3音波の透過係数(実験)
- 14a-K-18 "高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴"[VI] : Photoinduced mid-gap statesの再確認
- 30a-M-10 "高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴"[V]
- 30a-M-9 "高電場内Cu_2Oのパルス光伝導の異常な温度依存症"[I]
- 31p-BJ-11 極低温に於る高濃度 Ge:Sb の電気伝導
- 8a-B-3 極低温に於る不純物伝導-II-
- 3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
- トンネル型磁気抵抗と単一電子帯電効果
- 27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
- 5p-N-6 強磁性SETトランジスタの電気伝導II
- 29p-WB-4 強磁性単一電子トランジスタの磁気抵抗
- 28a-YN-7 希薄磁性半導体トンネル接合 : GaMnAs/AlAs/GaMnAsにおける巨大トンネル磁気抵抗効果
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
- 2a-B-15 Siの不純物伝導に於る表面処理の効果
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱II
- 1p-F-6 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱
- 27a-ZG-11 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 IV : 非線形光学サイクロトロン2重共鳴
- 30p-W-1 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 III
- 30a-C-2 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 II
- 27a-M-6 高密度励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴
- 4a-E-17 Cu_2Oのマイクロ波光伝導応答 : 温度依存性とサイクロトロン共鳴
- 30a-Y-13 超伝導性物質のパルス光伝導 V : Y_-Ba_x-Cu_3-O_z系
- 5p-C-12 超伝導性物質のパルス光伝導 IV
- 5p-C-10 直交する電場・磁場内のCu_2Oのパルス光伝導
- 5a-S4-15 超伝導性物質のパルス光伝導II : La-Cu-O系
- 5a-S4-13 直交する電場・磁場内のCdSのパルス光伝導(II)
- 4a-KD-7 TTF-TCNQの低温における非線形効果(II)
- マイコンを用いた大学低学年物理実験の成績評価
- 18pWA-13 強磁性SETにおける磁気抵抗効果 II
- 27aD-2 強磁性体微小2重接合系の磁気クーロン振動
- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
- 31a-A-6 静電結合した2本の微小ジョセフソン接合列の電気伝導
- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 27p-YG-5 単一電子トランジスターを用いた走査型電荷計の開発
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 5a-N-12 微小トンネル接合列を用いた温度計
- 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移
- 27a-W-2 第3音波のアンダーソン局在I
- 半導体中の2価の中性不純物によるキャリアの散乱
- 3p-YE-13 金属微粒子を挟んだトンネル分光 1I
- N/S/N接合をもった微小ループの磁気抵抗 II
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 1a KH-12 極低温の不純物伝導
- 31p GD-3 極低温におけるSi:Pの磁気抵抗効果
- 3p-DS-10 極低温に於けるGe:Sbの磁気抵抗効果
- 7a-C-1 低温における乱れた糸
- 4p-U-3 極低温における不純物伝導
- 量子ホール効果状態の臨界電流
- 28p-X-3 量子ホール効果状態の臨界電流
- 30p-N-12 量子ホール効果状態の電流分布
- 3p-YE-14 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導
- 1a-L4-3 Si:Pの静帯磁率(二)(低温(金属非金属転移))
- 25aYL-7 強磁性単一電子ポンプ(25aYL 微小磁性体の磁気伝導,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- 3p-YH-1 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導II(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
- 3a-YH-5 超伝導微粒子膜における超伝導 : 絶縁体転移II(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)