31p-ZB-7 絶縁体^<70>Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
伊藤 公平
慶応大理工
-
島田 宏
電通大
-
島田 宏
東大低温セ
-
大塚 洋一
筑波大物理
-
大塚 洋一
筑波大物理:学際物質センター
-
渡部 道生
東大低温セ
-
渡部 道生
理化学研究所半導体工学研究室
-
伊藤 公平
慶応理工
関連論文
- 20aGD-7 スクッテルダイトRPt_4Ge_(R=La,Pr)の超伝導状態 : ^Ge-NQR/NMR(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pPSB-37 圧力下^Si-NMRによるURu_2Si_2の研究(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pPSA-42 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR II(29pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aPS-43 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aRC-11 「コア・カリキュラム学習支援」システムの改善手法(20aRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 27aVE-6 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその改善(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 26aVE-7 危機・限界体験実験による大学院教育(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 28pYE-2 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその効果(28pYE 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 20aYG-4 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aTG-4 クラスレート化合物Ba_Ge_とAg_6O_8AgNO_3におけるNMR(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 14pPSA-36 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究(f-電子系, 領域 8)
- 28aXD-1 UGe_2の^Ge-NMR/NQRによる研究(アクチナイドI(U化合物の磁性と超伝導))(領域8)
- 22pRA-11 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 III
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 28p-YG-3 常伝導細線の輸送現象における超伝導近接効果
- 26pYB-2 同位体^Ge/^Ge超格子におけるコヒーレントフォノンの観測
- 29pRA-13 CeNiGe_3とCeNi_2Ge_2の圧力効果(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- 18pPSB-18 CePt_3Siの圧力下における^Si-NMR(18pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2:アクチナイド,超伝導,新物質など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pRA-4 CePt_3Siの^Si-NMR II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
- 29pYF-10 同位体^Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
- 29aWF-3 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 II
- 30p-Q-10 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導 III
- 強磁性微小トンネル接合列の電気伝導II
- 微細加工した微粒子膜の電気伝導
- 超伝導微粒子膜における超伝導-絶縁体転移
- Ni-NiO-Ni及びNi-NiO-Fe微小トンネル接合の電気伝導
- 23pPSB-2 MPt_4Ge_(M=Sr,Ba,La,Pr)の^Ge-NQR(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
- 24pQK-8 コア・カリキュラム学習支援システムのハンドブック化(24pQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
- 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
- 17pTG-2 ^Si結晶中の酸素原子局在振動
- 23pTH-12 ^Ge-NMRと第一原理計算によるクラスレート化合物Ba_Ge_の圧力誘起転移の解析(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aRG-9 クラスレート化合物Ba_Ge_の第一原理計算と^Ge-NMR(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
- トンネル型磁気抵抗と単一電子帯電効果
- 27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
- 5p-N-6 強磁性SETトランジスタの電気伝導II
- 29p-WB-4 強磁性単一電子トランジスタの磁気抵抗
- 29p-ZG-10 半導体(Ge, GaAs)におけるコヒーレントフォノンの偏光特性
- 28a-YN-7 希薄磁性半導体トンネル接合 : GaMnAs/AlAs/GaMnAsにおける巨大トンネル磁気抵抗効果
- シリコン結晶中の核スピン量子コヒーレンス (特集号)
- 29pRA-14 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- アンダーソン転移の理論と実験の現状 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (1.金属-絶縁体転移(アンダーソン転移))
- 18pWA-13 強磁性SETにおける磁気抵抗効果 II
- 27aD-2 強磁性体微小2重接合系の磁気クーロン振動
- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
- 31a-A-6 静電結合した2本の微小ジョセフソン接合列の電気伝導
- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 27p-YG-5 単一電子トランジスターを用いた走査型電荷計の開発
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 23aQG-2 シリコン中リンの低磁場電子・核スピン共鳴(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aYA-5 核スピンのコヒーレンス時間(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 5a-N-12 微小トンネル接合列を用いた温度計
- 半導体中の電子はどのように遍歴化するか? : モット・アンダーソン転移の臨界指数
- 22pL-8 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移点近傍での広域ホッピング伝導
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- 17pTG-14 イオン化不純物分布のRandom-to-Correlated転移
- 26aYL-2 n型Ge(As, Ga)の遠赤外不純物吸収スペクトル
- 量子ビットから固体量子コンピューターへの道のり (2004年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (凝縮系の物理)
- スピンを使った量子計算 (特集 量子情報)
- 金属・非金属転移 (特集 物性科学の最新動向)
- シリコン半導体からみた量子コンピューター (特集 材料開発からみた量子コンピューター)
- Material Report R&D 量子コンピューターとスピンエレクトロニクス
- 27pTC-9 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究II(27pTC 価数揺動系,重い電子系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aXD-5 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定II(ウラン化合物,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pRA-14 URhGe の ^Ge-NMR/NQR による研究
- 22pYF-4 Ba_8Si_超伝導物質の同位体効果
- 20aYG-5 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 3p-YE-13 金属微粒子を挟んだトンネル分光 1I
- 19aTJ-2 シリコンクラスレート超伝導体Ba_8Si_の比熱
- 27pWA-2 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定(ウラン化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Ga ドープ Ge における金属 : 絶縁体転移
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 量子ホール効果状態の臨界電流
- 量子演算につながるコヒーレンス
- ^Si_n/^Si_n同位体超格子の成長と評価(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- 「量子コンピュータ開発のためのナノテクノロジー」
- シリコン量子コンピュータ
- 核スピン量子ビット
- シリコン同位体単結晶の応用
- 会議だより 第31回半導体物理学国際会議(ICPS)報告
- 19pYH-7 半導体核スピン量子ビット
- 23pK-1 21世紀に向けた半導体物理工学 : はじめに
- 22pL-9 半導体を用いた金属-絶縁体転移の実験からわかったこと
- ウォッカと灰色の粉末
- 半導体同位体工学
- 8aXB-7 UGe2,URhGeの73Ge-NMR/NQRによる研究(重い電子系(圧力誘起超伝導,5f電子系),領域8)