23aQG-2 シリコン中リンの低磁場電子・核スピン共鳴(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-08-25
著者
-
伊藤 公平
慶応大理工
-
仙場 浩一
NTT物性基礎研
-
澤野 憲太郎
都市大総研
-
澤野 憲太郎
武蔵工大総研
-
仙場 浩一
Ntt物性科学基礎研究所
-
田中 弘隆
Ntt Brl
-
森下 弘樹
慶応大学
-
仙場 浩一
NTT BRL
-
ブラセンコ レオニド
イオッフェ物理技術研究所
-
白木 靖弘
武蔵工大
-
伊藤 公平
慶応大学
-
澤野 憲太郎
東京都市大学
-
仙場 浩一
NTT物性基礎研:東京理科大:国立情報学研
関連論文
- 20aHW-8 超伝導磁束量子ビットを介した共振器と二準位fluctuatorの結合(20aHW 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aGD-7 スクッテルダイトRPt_4Ge_(R=La,Pr)の超伝導状態 : ^Ge-NQR/NMR(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pPSB-37 圧力下^Si-NMRによるURu_2Si_2の研究(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pPSA-42 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR II(29pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aPS-43 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWF-5 共晶体を用いたSr_2RuO_4/Ru接合の準粒子トンネル効果(Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aYG-4 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aTG-4 クラスレート化合物Ba_Ge_とAg_6O_8AgNO_3におけるNMR(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 14pPSA-36 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究(f-電子系, 領域 8)
- 28aXD-1 UGe_2の^Ge-NMR/NQRによる研究(アクチナイドI(U化合物の磁性と超伝導))(領域8)
- 22pRA-11 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 III
- 27pXD-1 磁束量子ビットの射影測定(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 超伝導回路で共振器量子電磁力学実験が可能に! : ジョセフソンcavity-QED(最近の研究から)
- 22PYF-13 ジョセフソン分岐増幅による超伝導磁束量子ビット読み出しの試み(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYF-6 超伝導伝送線路共振器を用いた機械振動系の微小変位検出(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pPSB-67 磁束ノイズ耐性のある量子ビット構造(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTG-11 磁束量子ビットの周波数アドレス読み出しスキーム(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18aRC-8 超伝導磁束量子ビットによるLC共振回路の非古典的状態の生成(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXJ-4 ジョセフソンLC回路を介した超伝導量子ビット間の量子ゲート(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aXC-3 磁束量子ビットの縮退点近傍でのコヒーレンス時間(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYB-2 同位体^Ge/^Ge超格子におけるコヒーレントフォノンの観測
- 29pRA-13 CeNiGe_3とCeNi_2Ge_2の圧力効果(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18pPSB-18 CePt_3Siの圧力下における^Si-NMR(18pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2:アクチナイド,超伝導,新物質など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pRA-4 CePt_3Siの^Si-NMR II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
- 29pYF-10 同位体^Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
- 29aWF-3 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 II
- 23pPSB-2 MPt_4Ge_(M=Sr,Ba,La,Pr)の^Ge-NQR(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29a-L-6 La_Sr_xCuO_(001)MBE薄膜の物性測定
- 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
- 27aVE-10 超伝導磁束量子ビットにおけるテレグラフノイズの分光分析(27aVE 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aWF-10 環境と結合した超伝導磁束量子ビットのラビ振動(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYT-10 超伝導磁束量子ビットにおける多光子ラビ振動の観測(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYD-7 超伝導リングにおける巨視的量子重ね合わせの実現(超伝導)(領域6)
- 28aYA-3 超伝導磁束量子状態を用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 27pYG-15 巨視的重ね合わせ状態間の多光子吸収過程(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- 21aTL-1 超伝導磁束量子ビットの読み出しの温度依存性
- 23aWQ-3 JBA測定による被測定量子ビットのエネルギー変化とそれを利用した量子フィードバックの提案(23aWQ 微小接合,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
- 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
- 12aTM-5 超伝導リングでの巨視 2 準位状態の位相測定(超伝導, 領域 6)
- 17pTG-2 ^Si結晶中の酸素原子局在振動
- 27pJ-4 輸送特性のドーピング依存性からみたYBa_2Cu_3O_の量子臨界点
- 28p-PSA-22 YBa_2Cu_3O_y輸送特性のドーピング依存性
- 28a-YB-4 YBa_2Cu_3O_y単結晶の超伝導絶縁体転移
- 30p-PSA-47 YBCO系単結晶の磁気抵抗
- ZnドープYBCO単結晶の磁気抵抗解析
- 60K-, 90K-YBCO単結晶の磁気抵抗と超伝導ゆらぎ
- 28p-PSA-19 単結晶YBa_2Cu_3O_yの常伝導磁気抵抗
- 5p-YE-10 YBa_2(Cu_Zn_x)_3O_無双晶単結晶の光学伝導度
- 23pTH-12 ^Ge-NMRと第一原理計算によるクラスレート化合物Ba_Ge_の圧力誘起転移の解析(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aRG-9 クラスレート化合物Ba_Ge_の第一原理計算と^Ge-NMR(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29p-ZG-10 半導体(Ge, GaAs)におけるコヒーレントフォノンの偏光特性
- 30aXC-5 ジョセフソン非調和振動子による超伝導量子ビット読み出しの量子古典対応とデコヒーレンス(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン結晶中の核スピン量子コヒーレンス (特集号)
- 29pRA-14 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 超伝導量子ビットと単一光子の量子もつれ制御 (特集 量子コンピュータ)
- 超伝導磁束量子ビットの単一回読み出し (特集 量子情報技術)
- CS-6-5 LC共振量子・超伝導磁束量子ビット結合系での量子状態操作(CS-6.量子ビットの現在、量子コンピューティングの将来,シンポジウム)
- 20aWF-7 超伝導磁束量子ビットにおける最近の研究(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXD-3 超伝導量子ビット集団による共振器プラズモンの超放射の検討II(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWJ-13 超伝導量子ビット集団による共振器プラズモンの超放射の検討(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- アンダーソン転移の理論と実験の現状 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (1.金属-絶縁体転移(アンダーソン転移))
- 超伝導量子ビットの現状と課題 (特集 材料開発からみた量子コンピューター)
- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
- 23aQG-2 シリコン中リンの低磁場電子・核スピン共鳴(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aTL-4 Flux-qubit のスピンエコー
- 28aYA-5 核スピンのコヒーレンス時間(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 半導体中の電子はどのように遍歴化するか? : モット・アンダーソン転移の臨界指数
- 22pL-8 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移点近傍での広域ホッピング伝導
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- 17pTG-14 イオン化不純物分布のRandom-to-Correlated転移
- 26aYL-2 n型Ge(As, Ga)の遠赤外不純物吸収スペクトル
- 量子ビットから固体量子コンピューターへの道のり (2004年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (凝縮系の物理)
- スピンを使った量子計算 (特集 量子情報)
- 金属・非金属転移 (特集 物性科学の最新動向)
- シリコン半導体からみた量子コンピューター (特集 材料開発からみた量子コンピューター)
- Material Report R&D 量子コンピューターとスピンエレクトロニクス
- 27pTC-9 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究II(27pTC 価数揺動系,重い電子系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aXD-5 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定II(ウラン化合物,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pRA-14 URhGe の ^Ge-NMR/NQR による研究
- 22pYF-4 Ba_8Si_超伝導物質の同位体効果
- 20aYG-5 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aTJ-2 シリコンクラスレート超伝導体Ba_8Si_の比熱
- 27pWA-2 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定(ウラン化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Ga ドープ Ge における金属 : 絶縁体転移
- 量子演算につながるコヒーレンス
- ^Si_n/^Si_n同位体超格子の成長と評価(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- 「量子コンピュータ開発のためのナノテクノロジー」
- シリコン量子コンピュータ
- 核スピン量子ビット
- シリコン同位体単結晶の応用
- 会議だより 第31回半導体物理学国際会議(ICPS)報告
- 19pYH-7 半導体核スピン量子ビット
- 23pK-1 21世紀に向けた半導体物理工学 : はじめに
- 22pL-9 半導体を用いた金属-絶縁体転移の実験からわかったこと
- ウォッカと灰色の粉末
- 半導体同位体工学
- 8aXB-7 UGe2,URhGeの73Ge-NMR/NQRによる研究(重い電子系(圧力誘起超伝導,5f電子系),領域8)