29pYF-10 同位体^<29>Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20aGD-7 スクッテルダイトRPt_4Ge_(R=La,Pr)の超伝導状態 : ^Ge-NQR/NMR(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
23pPSB-37 圧力下^Si-NMRによるURu_2Si_2の研究(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
29pPSA-42 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR II(29pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
19aPS-43 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
24pQD-11 ダイヤモンド中の単一NV中心における核スピンによるベル状態の生成と検出(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
21aHT-5 ダイヤモンドのNVセンターの高濃度作成とスピン緩和(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
20aYG-4 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
24aTG-4 クラスレート化合物Ba_Ge_とAg_6O_8AgNO_3におけるNMR(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
-
14pPSA-36 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究(f-電子系, 領域 8)
-
28aXD-1 UGe_2の^Ge-NMR/NQRによる研究(アクチナイドI(U化合物の磁性と超伝導))(領域8)
-
22pRA-11 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 III
-
28aXT-10 SiC中のドナー・アクセプターの位相緩和(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
31pYG-4 SiC 中の浅いドナーのスピン緩和
-
27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
-
24pYP-11 ESRによる6H-SiCの空孔クラスターの研究
-
26aYL-13 低温電子線照射による格子間原子型欠陥の探索
-
25p-T-3 電子線照射したp型6H-SiCの電子スピン共鳴
-
26aXG-11 横結合型量子ドットを用いた量子ホール状態の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30pTX-6 横結合型量子ドットを用いたスピン偏極の検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22pYF-8 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYF-4 横結合型量子ドットにおける励起状態の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pYB-2 同位体^Ge/^Ge超格子におけるコヒーレントフォノンの観測
-
29pRA-13 CeNiGe_3とCeNi_2Ge_2の圧力効果(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
18pPSB-18 CePt_3Siの圧力下における^Si-NMR(18pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2:アクチナイド,超伝導,新物質など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
29pRA-4 CePt_3Siの^Si-NMR II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
29a-PS-18 Si/Ge(001)のSTM, XPS, LEED
-
19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
-
27aYM-2 ダイヤモンドの燐ドナーの電子スピン共鳴 : 構造と電子状態(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
29pYF-10 同位体^Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
-
28aYC-11 ダイヤモンドへの高エネルギー燐イオン照射 : 照射損傷低減条件の探索
-
31a-ZA-1 高エネルギー炭素イオン照射したダイヤモンドの電子スピン共鳴
-
8a-S-7 高温・高エネルギー燐イオン照射ダイヤモンドの電子スピン共鳴
-
高エネルギー燐イオン打ち込みダイヤモンドの電子スピン共鳴
-
3a-M-6 高エネルギー燐イオンを照射した合成ダイヤモンド結晶の電子スピン共鳴
-
27p-N-13 燐イオンを照射した合成ダイアモンド結晶の電子スピン共鳴
-
27p-N-12 高圧合成ダイヤモンドの長残光
-
29p-YC-12 水素イオン照射したダイヤモンド結晶の電子スピン共鳴
-
28p-P-5 イオン照射した高圧合成ダイヤモンドの電子スピン共鳴
-
29p-D-7 ダイヤモンド結晶中のホウ素超微細相互作用を示す点欠陥
-
28p-ZD-16 合成ダイヤモンド結晶の窒素-Ni複合欠陥のESR
-
29aWF-3 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 II
-
アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子
-
4a-R-12 パルス電子スピン共鳴によるゼオライト結晶細孔中の水素原子サイトの局所構造決定
-
23pPSB-2 MPt_4Ge_(M=Sr,Ba,La,Pr)の^Ge-NQR(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
-
13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
-
22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
-
17pTG-2 ^Si結晶中の酸素原子局在振動
-
23pTH-12 ^Ge-NMRと第一原理計算によるクラスレート化合物Ba_Ge_の圧力誘起転移の解析(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
-
19aRG-9 クラスレート化合物Ba_Ge_の第一原理計算と^Ge-NMR(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
-
29p-ZG-10 半導体(Ge, GaAs)におけるコヒーレントフォノンの偏光特性
-
24aTG-4 2次元正孔系アンチドット格子の整合性磁気抵抗振動(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱II
-
1p-F-6 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱
-
シリコン結晶中の核スピン量子コヒーレンス (特集号)
-
29pRA-14 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
アンダーソン転移の理論と実験の現状 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (1.金属-絶縁体転移(アンダーソン転移))
-
31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
-
31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
-
25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
-
人工ダイヤモンドのニッケル、窒素に起因する吸収スペクトル
-
23aQG-2 シリコン中リンの低磁場電子・核スピン共鳴(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
28aYA-5 核スピンのコヒーレンス時間(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
-
半導体中の電子はどのように遍歴化するか? : モット・アンダーソン転移の臨界指数
-
22pL-8 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移点近傍での広域ホッピング伝導
-
SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
-
17pTG-14 イオン化不純物分布のRandom-to-Correlated転移
-
26aYL-2 n型Ge(As, Ga)の遠赤外不純物吸収スペクトル
-
量子ビットから固体量子コンピューターへの道のり (2004年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (凝縮系の物理)
-
スピンを使った量子計算 (特集 量子情報)
-
金属・非金属転移 (特集 物性科学の最新動向)
-
シリコン半導体からみた量子コンピューター (特集 材料開発からみた量子コンピューター)
-
Material Report R&D 量子コンピューターとスピンエレクトロニクス
-
27pTC-9 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究II(27pTC 価数揺動系,重い電子系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
22aXD-5 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定II(ウラン化合物,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
22pRA-14 URhGe の ^Ge-NMR/NQR による研究
-
22pYF-4 Ba_8Si_超伝導物質の同位体効果
-
20aYG-5 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
24aTH-8 横結合型量子ドットにおけるクーロン相互作用(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
24aTG-3 2次元正孔系アンチドット格子の磁気抵抗におけるベリー位相の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aTJ-2 シリコンクラスレート超伝導体Ba_8Si_の比熱
-
27pWA-2 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定(ウラン化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
Ga ドープ Ge における金属 : 絶縁体転移
-
29p-W-9 電子線を照射したホウ素ドープ半導体ダイヤモンド結晶のESR
-
28p-C-5 カラーセンターのESR、ENDOR
-
30p-X-4 ダイヤモンドのEPR : エメラルドグリーン色の合成ダイヤモンド結晶
-
22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
量子演算につながるコヒーレンス
-
^Si_n/^Si_n同位体超格子の成長と評価(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
-
「量子コンピュータ開発のためのナノテクノロジー」
-
シリコン量子コンピュータ
-
核スピン量子ビット
-
シリコン同位体単結晶の応用
-
会議だより 第31回半導体物理学国際会議(ICPS)報告
-
19pYH-7 半導体核スピン量子ビット
-
23pK-1 21世紀に向けた半導体物理工学 : はじめに
-
22pL-9 半導体を用いた金属-絶縁体転移の実験からわかったこと
-
ウォッカと灰色の粉末
-
半導体同位体工学
-
8aXB-7 UGe2,URhGeの73Ge-NMR/NQRによる研究(重い電子系(圧力誘起超伝導,5f電子系),領域8)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク