27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-03-09
著者
-
森下 憲雄
原研高崎研
-
伊藤 久義
原研高崎研
-
山崎 聡
産総研ナノテク部門
-
伊藤 久義
原子力機構
-
森下 憲雄
原子力研究開発機構
-
森下 憲雄
原研高崎
-
磯谷 順一
筑波大図情メディア
-
水落 憲和
図情大
-
磯谷 順一
図情大
-
山崎 聡
JRCAT-融合研
-
瀧澤 春喜
原研高崎
-
大嶋 武
原研高崎
-
伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
-
伊藤 久義
原研
-
伊藤 久義
原研高崎
-
伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
-
山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
瀧澤 春喜
日本原子力研究所 高崎研究所
-
水落 憲和
筑波大図書館情報メディア:jstさきがけ:産総研ナノテク部門
-
山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
-
山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
関連論文
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- 27pTX-2 核スピンバス中における単一NV中心のスピンコヒーレンス(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pQD-11 ダイヤモンド中の単一NV中心における核スピンによるベル状態の生成と検出(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aHT-5 ダイヤモンドのNVセンターの高濃度作成とスピン緩和(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- スーパーインシュレータ(ポリイミド及びポリエステル)のγ線照射後のガス生成量と機械的特性
- J-PARCニュートリノビームライン用超伝導電磁石システム(13) : 有機材料の低温γ線照射効果
- スーパーインシュレーション(ポリイミド、ポリエステル)のγ線による耐放射線性試験(S08-2 極低温材料システム(2),S08 極低温・超電導材料システムの強度・機能特性)
- 28aXT-10 SiC中のドナー・アクセプターの位相緩和(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 31pYG-4 SiC 中の浅いドナーのスピン緩和
- 27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
- 24pYP-11 ESRによる6H-SiCの空孔クラスターの研究
- 26aYL-13 低温電子線照射による格子間原子型欠陥の探索
- 25p-T-3 電子線照射したp型6H-SiCの電子スピン共鳴
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- J-PARCニュートリノビームライン用超伝導電磁石システム(12) : 耐放射線性を有する自動弁・安全弁の開発
- J-PARCニュートリノビームライン用超伝導電磁石システム(5) : 耐放射線低温バルブの開発
- 21aYE-6 水素吸蔵Pdのイオンビーム照射効果(格子欠陥・ナノ構造(水素・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 27pA02 ITER計測用石英窓材の放射線照射効果における温度依存性(計測)
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
- 27aYM-2 ダイヤモンドの燐ドナーの電子スピン共鳴 : 構造と電子状態(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pYF-10 同位体^Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
- 28aYC-11 ダイヤモンドへの高エネルギー燐イオン照射 : 照射損傷低減条件の探索
- 31a-ZA-1 高エネルギー炭素イオン照射したダイヤモンドの電子スピン共鳴
- 8a-S-7 高温・高エネルギー燐イオン照射ダイヤモンドの電子スピン共鳴
- 高エネルギー燐イオン打ち込みダイヤモンドの電子スピン共鳴
- 3a-M-6 高エネルギー燐イオンを照射した合成ダイヤモンド結晶の電子スピン共鳴
- 27p-N-13 燐イオンを照射した合成ダイアモンド結晶の電子スピン共鳴
- 27p-N-12 高圧合成ダイヤモンドの長残光
- 29p-YC-12 水素イオン照射したダイヤモンド結晶の電子スピン共鳴
- 28p-P-5 イオン照射した高圧合成ダイヤモンドの電子スピン共鳴
- 29p-D-7 ダイヤモンド結晶中のホウ素超微細相互作用を示す点欠陥
- 28p-ZD-16 合成ダイヤモンド結晶の窒素-Ni複合欠陥のESR
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- スーパーインシュレーションのγ線による耐放射線試験
- 科学解説 CVDダイヤモンド薄膜のESR研究
- ゲート絶縁膜・シリコン界面欠陥、膜中欠陥のESR観察(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 23pZN-5 極薄Si酸化膜の構造欠陥のパルスESR評価
- アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子
- パルスESR
- 4a-R-12 パルス電子スピン共鳴によるゼオライト結晶細孔中の水素原子サイトの局所構造決定
- パルスEPR--電子スピンエコ-と応用 (パルスEPR分光法と応用)
- 12a-DF-14 アモルファスシリコンのパルスESR : スピン緩和から見たダングリングボンドと水素の距離
- アモルファスシリコンに生成される光誘起ESR信号
- 27p-C-6 アモルファスシリコンにおける光構造変化
- パルスESR,ESEEM (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)
- 〔工業技術院電子技術総合研究所〕研究設備紹介-18-パルス電子スピン共鳴
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
- 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
- J-PARCビームライン超伝導磁石用有機材料の低温耐放射線性(2 ガス発生)(S08-2 極低温材料システム(2),S08 極低温・超電導材料システムの強度・機能特性)
- J-PARCビームライン超伝導磁石用有機材料の低温耐放射線性(1 機械特性)(S08-2 極低温材料システム(2),S08 極低温・超電導材料システムの強度・機能特性)
- 2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)
- 新しい薄膜成長その場観察手法 -電子スピン共鳴法-
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果
- 24pxA-2 軟X線光電子分光によるn型リンドープダイヤモンドの電子構造の研究(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28p-YL-2 γ線を照射したNaNO_2の^Na-NMR
- 1J-13 分割TMMを用いた熱画像による温度測定の妥当性検討(医用超音波)
- 人工ダイヤモンドのニッケル、窒素に起因する吸収スペクトル
- 20aTG-2 アニオンドープされた酸化チタン(IV)の電子構造解析
- 1a-K-13 SiO_2中PイオンにおけるEPR吸収線の動的平均化過程
- 3p-Z-21 P^4+:SiO_2 (α-石英) EPR : 温度依存性
- 29p-YL-4 パルスESR法による水素化アモルファスシリコンの光誘起欠陥の研究
- 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
- 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 29p-W-9 電子線を照射したホウ素ドープ半導体ダイヤモンド結晶のESR
- 28p-C-5 カラーセンターのESR、ENDOR
- 30p-X-4 ダイヤモンドのEPR : エメラルドグリーン色の合成ダイヤモンド結晶
- 22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 2a-KD-5 電子スピンエコー法によるポリアセチレンのスピンダイナミックス
- 2Pa1-2 電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価(ポスターセッション)
- 4p-YA-2 ポリアセチレンのESR,ESE
- SiC半導体デバイスの進展と放射線
- プラズマCVD法によるステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成(ダイヤモンド成長)
- 7aSK-1 4H-SiC中におけるC3v対称を持つ電荷-1のSi単原子空孔のESRによる研究(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 31p-G4-8 ドープしたポリアセチレンの電子スピンエコー : 金属状態(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 24pXR-10 短パルス陽電子ビーム形成装置の製作(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 2p-D4-3 ポリアセチレンの電子スピンエコー(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 25pWE-4 SiCのアンチサイト型欠陥の電子スピン共鳴法による構造決定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))