ゲート絶縁膜・シリコン界面欠陥、膜中欠陥のESR観察(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
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概要
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絶縁膜やシリコンとの界面に存在する欠陥構造と、新しい絶縁膜であるhigh-k材料のひとつHfo_2膜の欠陥に関する情報を電子スピン共鳴法(electron spin resonance, ESR)を用いて得ることができた。SiとSiO_2の界面欠陥であるP_b中心がシリコン数層の酸化によってバルクのSiO_2膜の場合と同等な数の欠陥を生成することを明らかにし、この欠陥がマクロな歪みではなくミクロなシリコン表面の酸化という化学反応の結果生成していることを示した。また、Hfo_2膜の欠陥をESRで初めて検出し、high-k材料には数多くの欠陥が存在することを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
-
山崎 聡
産総研ナノテク部門
-
山崎 聡
産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
二子 渉
産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
水落 憲和
産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
山崎 聡
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
-
水落 憲和
筑波大図書館情報メディア:jstさきがけ:産総研ナノテク部門
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