19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
-
鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
-
山崎 聡
産総研ナノテク部門
-
三木 一司
物材機構
-
篠原 正典
長崎大学
-
三木 一司
電総研
-
山崎 聡
JRCAT-融合研
-
安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
-
西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
-
三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
-
三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
-
西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
西澤 正泰
JRCAT-産総研
-
三木 一司
ナノテク部門-産総研
-
篠原 正典
東北大電通研
-
鎌倉 望
東北大電通研
-
木村 康男
東北大電通研
-
庭野 道夫
東北大電通研
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
-
安田 哲二
Jrcat-nair
-
山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
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