SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
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概要
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Si(001)基板上へエピタキシャル成長したSiGe表面へのシラン吸着・脱離過程を多重内部反射型赤外分光法によって観察した.得られた赤外スペクトルから, SiH_4は室温でSiGe表面上に解離吸着すること, また解離吸着する分子種はSiGeのGe組成比に依存していることがわかった.しかしどの濃度の試料においても, 加熱によってSi2占有ダイマー構造の形成が観測された.これは加熱によって表面の再構成やSiとGeの置換反応が進み, 表面にSiダイマーが形成されることによるものと解釈することができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-09-01
著者
-
鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
長崎大学
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
瀬山 顕雄
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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