P3HT膜の電界効果移動度に及ぼす熱処理過程の影響(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
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概要
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P3HTを用いた有機電界効果トランジスタは熱処理により移動度が向上することが知られているが、除冷の効果についてはほとんど調べられていない.そこで、更なるOFETの特性の向上ため,熱処理における徐冷の効果を調べた.その結果,P3HTの融点を超える温度から徐冷した場合は急冷した場合に比べ移動度が5倍程度に向上し,また,P3HT膜のXRDの結果では,高温からの徐冷によりP3HTの(100)面の結晶性が向上していることがわかった.これらの結果より,融点を超える温度から徐冷した場合はP3HTの(100)面の結晶性を向上させ,P3HTの移動度を向上させる効果があることがわかった.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-11
著者
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
飯野 祥平
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
但木 大介
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
馬 騰
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
張 晋逾
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
但木 大介
東北大学電気通信研究所
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