変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体 / 電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス, MEMS, 一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年有機エレクトロニクスの発展に伴い、有機FETが注目を集めている。有機FETでは電界効果によってチャネル部にキャリアが誘起され、ソース・ドレイン間に流れる電流がゲート変調を受けるが、その動作機構には不明な点が多い。特に、一般に意図的なドーピングをしない有機半導体内のキャリア密度は低いため、チャネルに誘起される大量のキャリアがどのように供給されるかという問題は重要である。これまで、不純物からキャリアが供給されるというモデルと、電極からのキャリア注入によってもたらされているとするモデルが提案されてきた。これらの点を解明していくには、有機FET内でのキャリアの挙動を解析する新たな評価手法の確立が必要である。本研究では、有機電界発光素子のキャリア注入特性の評価に用いられていた変位電流評価法を有機FET素子の解析法として提案した。ペンタセンを用いたFETにこの手法を適用することで、(1)電極注入の有無、その開始電位およびキャリアの極性の決定、(2)注入されたキャリアがチャネル部でどの程度で拡散し、均一なシート状電荷が形成できているかどうか、(3)チャネル部に蓄積した電荷量、等を評価することができることを見出した。また、注入特性の異なるAu電極とAl電極における結果を比較したり、酸素に素子をさらして不純物キャリアを供給した場合の結果と真空中での結果を比較することで、ペンタセンFETにおけるチャネルに蓄積されるキャリアの起源に関しても議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-26
著者
-
石井 久夫
千葉大学先進科学研究教育センター
-
石井 久夫
東北大・通研
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
小川 賢
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
石井 久夫
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
関連論文
- 1A04 NEXAFS分光を用いた長鎖アルカン化合物の気/液界面秩序層に関する研究
- 3C08 反強誘電性液晶の発現における不斉炭素部の嵩高さの効果 (II)
- 21aXA-9 有機FET構造における金-チオール自己組織化単分子膜の物性へ与える影響(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- Alq_3を含む有機EL素子の変位電流特性 : ヘテロ界面での正孔蓄積機構および成膜時の光照射効果(有機材料・一般)
- 表面赤外分光法を用いた抗原抗体反応の非標識検出 : 二次構造解析による特異・非特異信号の識別
- 24pY-15 Cu(100)面上の n-C_H_単分子膜の角度分解紫外光電子分光(ARUPS)と理論計算による配向評価
- 28a-W-15 導電性高分子ポリ(p-フェニレン)モデル化合物配向蒸着膜の角度分解光電子分光 : 低重合体における波数保存則
- 光電子収量分光法の絶縁物への適用とルブレン薄膜酸化過程のその場観察への応用
- 第66回応用物理学会学術講演会(2005/9/7-11@徳島大)の報告 : 分科名 : 10. 有機分子・バイオエレクトロニクス大分類分科
- 有機分子・バイオエレクトロニクス
- 第52回応用物理学会関係連合講演会(2005/3/29-4/1@埼玉大)の報告分科名 : 10. 有機分子・バイオエレクトロニクス大分類分科
- 変位電流評価法を用いた有機ヘテロ接合界面における電荷トラップの評価(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 光電子収量分光による有機エレクトロニクス材料・界面の電子構造評価 (特集 有機半導体デバイスと表面・界面--デバイス技術と物性評価法の進展)
- 多重内部反射型赤外吸収分光法を用いた有機デバイスの評価(有機材料,一般)
- Photo-Induced Doping Effect of Organic Semiconductors(Session 9B Emerging Devices and Technologies III,AWAD2006)
- Photo-Induced Doping Effect of Organic Semiconductors(Session 9B Emerging Devices and Technologies III)
- Photo-Induced Doping Effect of Organic Semiconductors
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 3B16 X線吸収端微細構造(XANES)を用いたポリイミドラビング膜のコンフォメーション評価
- 陽極酸化により作製したアルミニウムナノドットからのクーロン階段の室温観測
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- 3B08 5CB単分子膜の配向構造に関する基板表面の乾燥状態依存性
- C-3-10 移動回折格子によるヘテロダイン方式フーリエ変換赤外分光法
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法で調べたペンタセン有機電界効果トランジスタ界面のキャリア挙動
- Si(100)-2×1表面上ナフタレン吸着の赤外吸収分光解析
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体 / 電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス, MEMS, 一般)
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体/電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス・MEMS・一般)
- ソフトナノテクノロジーのための計測技術
- 有機不揮発性メモリ素子モデル界面としての 2-amino-4,5-imidazoledicarbonitrile (AIDCN)-金属界面の電子構造
- 金属上のチオフェン6量体の配向と界面構造
- 偏光軟X線吸収分光による有機分子線蒸着法で成膜したα-Sexithienylの分子配向に関する研究
- 高分子系有機薄膜トランジスタの熱処理効果(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 色素増感太陽電池のための透明電極上への酸化チタンナノチューブの形成(有機・薄膜デバイス,一般)
- 色素増感太陽電池応用に向けた陽極酸化チタンナノチューブの作製と応用(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- イオン液体を用いたP3HT有機トランジスタの作製と評価(有機・薄膜デバイス,一般)
- トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
- 3G607 偏光軟X線吸収を用いたフッ化物ポリマーの配向性の検討
- Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
- 酸素プラズマ中でのSi表面水素の拳動
- 半導体表面・界面反応の赤外分光観察
- 18aTF-6 SiH_2Cl_2分子の吸着・熱分解過程における表面水素の挙動
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)モデル化合物の角度分解紫外光電子分光(ARUPS)と光電子放出強度の理論計算--異なる配向の薄膜中での分子内-次元エネルギーバンド構造
- C-11-7 多重内部反射型赤外分光法を用いたSiウェーハ上の汚染位置検出
- 光電子分光
- 24aZ-2 紫外光電子分光による有機物/金属界面の電子準位の接続
- 酸化チタンナノチューブの色素増感太陽電池への応用とその評価(TFT(有機,酸化物),一般)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価
- 高分子系有機トランジスタの有機半導体層への熱処理効果
- ケルビン法でみた有機/金属界面の電子構造 : バンドの曲がりと巨大表面電位発生
- 有機/金属界面の電子構造を電子分光法やケルビン法で探る
- PAa04 軟X線吸収分光を用いた液晶配向用紫外線照射ポリイミド膜の研究
- 光電子分光でみた有機固体界面の電子構造
- 有機/金属界面、有機/有機界面の電子分光
- 陽極酸化過程を用いた室温動作単電子トランジスタの作製(TFT(有機,酸化物),一般)
- 有機FETの動作特性に及ぼす電極/有機界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 3PB13 真空紫外光電子放出と示差熱分析を用いたn-アルカンの表面固化現象に関する研究
- 多重内部反射型赤外吸収分光法によるシリコン表面の電気化学エッチング過程の"その場"観察
- 18aTF-7 Si陽極化成中における表面水素化物のFT-IRによるその場観察
- 有機エレクトロニクス素子の薄膜・界面における帯電・分極現象
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- Si(100)へのSiH_4分子吸着過程
- 23pWA-8 SiH_4及びSi_2H_6分子SiGe表面吸着過程
- シリコン表面の初期酸化過程の赤外分光解析
- 25pW-3 Si(100)表面上のシラン及びジシラン分子の吸着状態
- 25pW-1 水素終端Si(100)2×1表面上のGe原子の挙動
- 24pW-9 Si(100)表面上のジシラン(Si_2H_6)吸着過程
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- C-3-2 金属プローブを用いた赤外走査型近接場顕微鏡の開発(光記録・計測)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-1 ディスク型回折格子による光ヘテロダイン変調型赤外干渉計(光記録・計測)(C-3.光エレクトロニクス)
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス, MEMS, 一般)
- 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
- 有機金属界面接合の物理
- 有機半導体/金属界面における電子準位の接続 : 有機分子-金属間の相互作用と界面電気二重層
- 医学・生物応用光学
- サマリー・アブストラクト
- 電極電圧制御下でのシリコン表面エッチング過程の赤外分光観察
- 有機電界効果トランジスタの特性に及ぼすキャリア注入の影響
- 半導体加工に基づくイオンチャネルチップの開発
- 有機分子エレクトロニクスのための金属・分子界面の電子構造
- 微少電流計を用いた常圧下光電子分析法の開発
- 有機/金属界面の紫外光電子分光
- 陽極酸化による透明電極上への酸化チタンナノチューブ膜の形成(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 陽極酸化TiOナノチューブ形成過程に及ぼす電解液組成の影響 (電子部品・材料)
- ナノ・マイクロ加工に基づく人工細胞膜センサの研究