トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-09-27
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
成田 克
山形大学大学院理工学研究科
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院理工学研究科
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大 通研
-
木村 康男
東北大学 電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
廣瀬 文彦
山形大学
-
庭野 道夫
東北大学大学院医工学研究科
-
木下 友太
山形大
-
宮 博信
日立国際電気
-
平原 和弘
信越化学
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
庭野 道夫
東北大
-
Kimura Yasuo
Department Of Biological And Environmental Chemistry Tottori University
-
木下 友太
山形大学大学院理工学研究科
-
成田 克
山形大学
-
木村 康男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
関連論文
- 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
- 固相拡散法を用いた厚膜鉄シリサイドの試作と評価 (電子部品・材料)
- 半導体工学教育用簡易MOFET作製プロセス
- 低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 表面赤外分光法を用いた抗原抗体反応の非標識検出 : 二次構造解析による特異・非特異信号の識別
- 有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
- 変位電流評価法を用いた有機ヘテロ接合界面における電荷トラップの評価(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 多重内部反射型赤外吸収分光法を用いた有機デバイスの評価(有機材料,一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- アリール基を置換したチオフェンオリゴマーの合成とOFET特性(TFT(有機,酸化物),一般)
- 塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 陽極酸化により作製したアルミニウムナノドットからのクーロン階段の室温観測
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- C-3-10 移動回折格子によるヘテロダイン方式フーリエ変換赤外分光法
- 山形大学における3年次学生実験への創成テーマの導入事例
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(有機・薄膜デバイス,一般)
- 有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(TFT(有機,酸化物),一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- N719色素吸着制御による色素増感太陽電池の高効率化(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 高分子系有機薄膜トランジスタの熱処理効果(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 太陽電池用アモルファスSi薄膜のキャリア濃度測定と発電特性シミュレーション
- 有機ゲート絶縁膜を用いたFETの試作とキャリア輸送特性評価(有機・薄膜デバイス,一般)
- トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
- ペンタセン/シリコン有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(光記録技術・電子材料,一般)
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作(光記録技術・電子材料,一般)
- MCR-CVD法によるフッ素フリータングステン成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- 固相拡散法を用いた厚膜鉄シリサイドの試作と評価(光記録技術・電子材料,一般)
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成
- 高分子系有機トランジスタの有機半導体層への熱処理効果
- P3HT有機電界効果トランジスタの有機絶縁膜界面の化学修飾効果
- 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
- C-6-3 HM-CVD 法を用いた炭化ケイ素膜の作製
- C-6-2 DMS を用いた減圧 CVD 法による SiC on Si エピタキシャル成長
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 色素増感太陽電池用N719色素のTiO_2表面上の吸着構造評価
- CVD法によるアナタース酸化チタン薄膜の低温形成
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価
- C-6-2 3C-SiC成長初期段階におけるSi(001)上でのMMSiの表面反応過程の観察
- 赤外吸収分光法を用いたHfO2原子層堆積法の反応素過程評価 (電子部品・材料)
- SiGeをアノード層に用いた高速リカバリpinダイオード
- TOF法・4端子法を用いた有機半導体層のキャリア輸送特性評価
- SiGeアノード層を用いた高速リカバリ pin ダイオード
- C-6-2 有機ケイ素化合物を用いた Si(001) 上における 3C-SiC の二段階成長
- モノメチルシランを用いた3C-Sic成長初期過程
- ジメチルシランを用いた3C-SiC成長初期過程のRHEED観察
- C-6-13 有機ケイ素化合物と水素を用いたβ-SiC成長初期過程
- MMSiを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温成長
- MoO_3ホール輸送層を用いた有機薄膜太陽電池の発電特性(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- OHラジカル酸化法の開発とデバイス評価
- 赤外吸収分光法を用いたHfO_2原子層堆積法の反応素過程評価
- P3HT/n-Si有機無機接合ヘテロダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池のアニール効果の解析
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- 高溶解性チオフェンオリゴマーの塗布製膜性と有機薄膜太陽電池特性(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般)
- ECRMOCVD法によるAlNエピタキシャル成長
- ジメチルシランを用いた Si 表面での SiC 成長初期過程
- 有機太陽電池の光伝搬解析と反射防止構造の設計(TFT(有機,酸化物),一般)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性