遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作(光記録技術・電子材料,一般)

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概要

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現在、多結晶Si太陽電池は製造コストが高く、低コスト化が望まれている。従来の多結晶Si製造法であるシーメンス法を用いずに製造された、純化が不完全な低コスト多結晶Si基板を用いた太陽電池の製造技術が望まれている。我々は、残留するとSi基板のキャリアライフタイムに影響を与えやすい、遷移金属(Cu、Ni、Fe)について1×10^<13>/cm^3程度で意図的に汚染された基板を用いて、ゲッタリングによる発電特性の高性能化の可能性を調査してきた。その結果、キャリアのライフタイムはリンガラスを用いたゲッタリング工程を用いることで、電子デバイスグレードの単結晶Siと同等な値まで改善できることがわかった。しかし、ゲッタリングの最適温度が不純物ごとで大きく異なり、対象不純物で工程を柔軟に変更する必要があることが明らかになった。上記技術を用いて、当該不純物で汚染された基板において、16%近い発電効率が得られることがわかった。
2010-09-03

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