PEDOT:PSS/n-Siヘテロ接合太陽電池の試作と評価(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
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概要
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p型半導体に高分子有機材料であるPEDOT:PSSを用い、n型半導体にn-Siを用いて有機無機ヘテロデバイスの試作を行った。ダイオードの試作では良好な整流性を確認することができ、J-V特性からショットキーダイオードとして動作することを明らかにした。J-V特性とC-V特性からCheung解析と1/C^2プロット解析を行い、ショットキー障壁Φ_<b>、内蔵電位Φ_<bi>を導出した。また理想係数が2.1と高い値をとっていることより有機無機界面に薄い絶縁層が形成されていることがわかった。更にキャリア密度の関係より空乏層の形成がn-Siであることがわかった。このことから光を照射するとn-Si側で電荷分離が起こり発電を行うこともわかった。太陽電池の試作より2.52%程度の発電効率が得られた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-11
著者
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