遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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Si太陽電池のコスト削減のために、低コスト材料である低純度Siの利用が期待されている。本研究では、低純度Siの利用を想定し、遷移金属を含有した単結晶Si基板に対してPSGゲッタリング処理を施した基板を用いて、太陽電池を試作した。その結果、ゲッタリング処理を施した太陽電池の発電特性は、LSIグレード単結晶Si基板を用いた場合と同等であり、遷移金属種を除去するためにPSGゲッタリングが有効であることがわかった。また、高温アニールによるPの表面偏析に着目し、Pを多く含有する低純度多結晶Si基板に対する高温アニールの効果を検証した。結果として、検討が必要であるものの、この方法で基板表層のPを除去できる可能性があることがわかった。
2011-10-19

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