CVD法によるアナタース酸化チタン薄膜の低温形成
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概要
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Polycrystalline anatase TiO_2 films have been successfully deposited on Si (100) substrates at a temperature of 250℃ by atmospheric chemical vapor deposition with a precursor of titanium tetraisopropooxide and a carrier gas of N_2. When the growth temperature decreases from 400℃, the film crystallinity changes from anatase poly crystal to amorphous, though its transition is dependent on the film growth rate. We demonstrate that H_2O_2 gas mixing into the N_2 carrier lowers the transition temperature of the crystallinity.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-31
著者
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